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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
571561IRHM8Z60la singola N-Scanalatura TID di 30V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571562IRHM9064la singola P-Scanalatura TID di -60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571563IRHM9130la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571564IRHM9150la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571565IRHM9160la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571566IRHM9230la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571567IRHM9250la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571568IRHM9260la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571569IRHM93064la singola P-Scanalatura TID di -60V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571570IRHM93130la singola P-Scanalatura TID di -100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571571IRHM93150la singola P-Scanalatura TID di -100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571572IRHM93160la singola P-Scanalatura TID di -100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571573IRHM93230la singola P-Scanalatura TID di -200V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571574IRHM93250la singola P-Scanalatura TID di -200V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571575IRHM93260la singola P-Scanalatura TID di -200V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571576IRHMS57264SEMosfet THRU-HOLE (TO-254AA Basso-Ohmico) 250V, N-CHANNEL di ALIMENTAZIONE INDURITO RADIAZIONEInternational Rectifier
571577IRHMS593064la singola P-Scanalatura TID di -60V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âaInternational Rectifier
571578IRHMS593160la singola P-Scanalatura TID di -100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571579IRHMS593260la singola P-Scanalatura TID di -200V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier



571580IRHMS597064singolo MOSFET indurito TID della P-Scanalatura di -60V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âaInternational Rectifier
571581IRHMS597160la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571582IRHMS597260la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
571583IRHMS63160singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto ohmico basso di To-25âa. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571584IRHMS63260singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âaInternational Rectifier
571585IRHMS64160singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto ohmico basso di To-25âa. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571586IRHMS64260singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âaInternational Rectifier
571587IRHMS67160singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto ohmico basso di To-25âa. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571588IRHMS67260singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âaInternational Rectifier
571589IRHMS68160singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto ohmico basso di To-25âa. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571590IRHMS68260singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âaInternational Rectifier
571591IRHN2C50SEla singola N-Scanalatura di 600V 50kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-1International Rectifier
571592IRHN3150LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-1)International Rectifier
571593IRHN4150LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-1)International Rectifier
571594IRHN57250SEla singola N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-1International Rectifier
571595IRHN7054la singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1International Rectifier
571596IRHN7130singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1International Rectifier
571597IRHN7150singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1International Rectifier
571598IRHN7230singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1International Rectifier
571599IRHN7250singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1International Rectifier
571600IRHN7250SEla singola N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-1International Rectifier
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