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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
571641IRHNA597260la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571642IRHNA63160la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571643IRHNA63260singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571644IRHNA64160la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571645IRHNA64260singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571646IRHNA67160la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571647IRHNA67260singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571648IRHNA68160la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571649IRHNA68260singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad.International Rectifier
571650IRHNA7064la singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571651IRHNA7160singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571652IRHNA7260la singola N-Scanalatura TID di 200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571653IRHNA7264SEla singola N-Scanalatura di 250V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571654IRHNA7360SEla singola N-Scanalatura di 400V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571655IRHNA7460SEla singola N-Scanalatura di 500V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571656IRHNA7Z60la singola N-Scanalatura TID di 30V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571657IRHNA8064singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571658IRHNA8160singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2International Rectifier



571659IRHNA8260la singola N-Scanalatura TID di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571660IRHNA8Z60la singola N-Scanalatura TID di 30V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571661IRHNA9064la singola P-Scanalatura TID di -60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571662IRHNA9160la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571663IRHNA9260la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571664IRHNA93064la singola P-Scanalatura TID di -60V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571665IRHNA93160la singola P-Scanalatura TID di -100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571666IRHNA93260la singola P-Scanalatura TID di -200V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
571667IRHNB3160LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-3)International Rectifier
571668IRHNB4160LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-3)International Rectifier
571669IRHNB7064la singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571670IRHNB7160la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571671IRHNB7260la singola N-Scanalatura TID di 200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571672IRHNB7264SEla singola N-Scanalatura di 250V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571673IRHNB7360SEla singola N-Scanalatura di 400V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571674IRHNB7460SEla singola N-Scanalatura di 500V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571675IRHNB7Z60la singola N-Scanalatura TID di 30V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571676IRHNB8064la singola N-Scanalatura TID di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571677IRHNB8160la singola N-Scanalatura TID di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571678IRHNB8260la singola N-Scanalatura TID di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571679IRHNB8Z60la singola N-Scanalatura TID di 30V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3International Rectifier
571680IRHNJ3130TECNOLOGIA del Mosfet Rad-Dura Di 100V, N-CHANNEL HEXFETInternational Rectifier
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