| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 588001 | JANSG2N7432 | la singola N-Scanalatura TID di 100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 588002 | JANSG2N7432U | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 588003 | JANSG2N7433 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 588004 | JANSG2N7433U | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 588005 | JANSG2N7480U3 | LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-0.5) | International Rectifier |
| 588006 | JANSG2N7481U3 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5 | International Rectifier |
| 588007 | JANSG2N7484T3 | 100V 100kRad JANS ha certificato hi-Rel-Rel il singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura in un pacchetto di To-257aa. Inoltre disponibile nella radiazione livella fino a 1000KRad. | International Rectifier |
| 588008 | JANSG2N7493T2 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
| 588009 | JANSH2N7261 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
| 588010 | JANSH2N7261U | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto del 18-perno LCC | International Rectifier |
| 588011 | JANSH2N7262 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
| 588012 | JANSH2N7262U | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto del 18-perno LCC | International Rectifier |
| 588013 | JANSH2N7268 | la singola N-Scanalatura TID di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 588014 | JANSH2N7268U | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 588015 | JANSH2N7269 | la singola N-Scanalatura TID di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 588016 | JANSH2N7269U | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 588017 | JANSH2N7270 | la singola N-Scanalatura TID di 500V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 588018 | JANSH2N7270U | la singola N-Scanalatura TID di 500V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 588019 | JANSH2N7380 | la singola N-Scanalatura TID di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 588020 | JANSH2N7381 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 588021 | JANSH2N7394 | la singola N-Scanalatura TID di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 588022 | JANSH2N7394U | la singola N-Scanalatura TID di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 588023 | JANSH2N7431 | la singola N-Scanalatura TID di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 588024 | JANSH2N7431U | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 588025 | JANSH2N7432 | la singola N-Scanalatura TID di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 588026 | JANSH2N7432U | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 588027 | JANSH2N7433 | la singola N-Scanalatura TID di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 588028 | JANSH2N7433U | la singola N-Scanalatura TID di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 588029 | JANSH2N7480U3 | LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-0.5) | International Rectifier |
| 588030 | JANSH2N7481U3 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5 | International Rectifier |
| 588031 | JANSH2N7484T3 | la singola N-Scanalatura TID di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 588032 | JANSH2N7493T2 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
| 588033 | JANSPA25 | I PONTICELLI/25 AMPÈRE/MILITARI DI MONOFASE DELLE ASSEMBLEE DI RADDRIZZATORI HANNO APPROVATO | Microsemi |
| 588034 | JANSPB25 | I PONTICELLI/25 AMPÈRE/MILITARI DI MONOFASE DELLE ASSEMBLEE DI RADDRIZZATORI HANNO APPROVATO | Microsemi |
| 588035 | JANSPC25 | I PONTICELLI/25 AMPÈRE/MILITARI DI MONOFASE DELLE ASSEMBLEE DI RADDRIZZATORI HANNO APPROVATO | Microsemi |
| 588036 | JANSPD25 | I PONTICELLI/25 AMPÈRE/MILITARI DI MONOFASE DELLE ASSEMBLEE DI RADDRIZZATORI HANNO APPROVATO | Microsemi |
| 588037 | JANSR2N2222AUBG | Rad-Resistant NPN transistor bipolare 40 V, 0,8 A | ST Microelectronics |
| 588038 | JANSR2N2222AUBT | Rad-Resistant NPN transistor bipolare 40 V, 0,8 A | ST Microelectronics |
| 588039 | JANSR2N2907AUBG | Hi-Rel PNP transistor bipolare 60 V, 0,6 A | ST Microelectronics |
| 588040 | JANSR2N2907AUBT | Hi-Rel PNP transistor bipolare 60 V, 0,6 A | ST Microelectronics |
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