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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
601241K6F8008S2M FAMILY1M x foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 8 bit e di bassa tensioneSamsung Electronic
601242K6F8008U2M FAMILY1M x foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 8 bit e di bassa tensioneSamsung Electronic
601243K6F8016R6A FAMILY512K x foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 16 bit e di bassa tensioneSamsung Electronic
601244K6F8016R6BRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601245K6F8016R6B FAMILY512K x foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 16 bit e di bassa tensioneSamsung Electronic
601246K6F8016R6B-FRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601247K6F8016R6DRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601248K6F8016R6D-FRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601249K6F8016R6M FAMILYfoglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente di 16bit x di 512K e di bassa tensioneSamsung Electronic
601250K6F8016S6A FAMILY512K x foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 16 bit e di bassa tensioneSamsung Electronic
601251K6F8016S6M FAMILYfoglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente di 16bit x di 512K e di bassa tensioneSamsung Electronic
601252K6F8016T6CRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601253K6F8016T6C-FF55RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601254K6F8016T6C-FF70RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601255K6F8016U6RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601256K6F8016U6DRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601257K6F8016U6D-FF55RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601258K6F8016U6D-FF70RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic



601259K6F8016U6D-XF55RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601260K6F8016U6D-XF70RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601261K6F8016V3ARAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601262K6F8016V3A FAMILYfoglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601263K6F8016V3A-FRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
601264K6F8016V3A-RF5555ns; V (cc): da -0,2 a + 4.0V; 1W; 512K x 16 bit super-bassa potenza e bassa tensione completo di RAM CMOS staticaSamsung Electronic
601265K6F8016V3A-RF7070ns; V (cc): da -0,2 a + 4.0V; 1W; 512K x 16 bit super-bassa potenza e bassa tensione completo di RAM CMOS staticaSamsung Electronic
601266K6F8016V3A-TF5555ns; V (cc): da -0,2 a + 4.0V; 1W; 512K x 16 bit super-bassa potenza e bassa tensione completo di RAM CMOS staticaSamsung Electronic
601267K6F8016V3A-TF7070ns; V (cc): da -0,2 a + 4.0V; 1W; 512K x 16 bit super-bassa potenza e bassa tensione completo di RAM CMOS staticaSamsung Electronic
601268K6L0908C2ARAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601269K6L0908C2A-BRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601270K6L0908C2A-FRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601271K6L0908C2A-GB55RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601272K6L0908C2A-GB70RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601273K6L0908C2A-GF70RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601274K6L0908C2A-GL55RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601275K6L0908C2A-GL70RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601276K6L0908C2A-LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601277K6L0908C2A-PRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601278K6L0908C2A-TB55RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601279K6L0908C2A-TB70RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 64Kx8Samsung Electronic
601280K6R1004C1D256K x un foglio di 4 del bit (con/OE) di CMOS dati statico ad alta velocitą della RAMSamsung Electronic
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