No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
601921 | K6X4008C1F-VF55 | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 | Samsung Electronic |
601922 | K6X4008C1F-VF70 | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 | Samsung Electronic |
601923 | K6X4008C1F-VQ55 | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 | Samsung Electronic |
601924 | K6X4008C1F-VQ70 | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 | Samsung Electronic |
601925 | K6X4008T1F | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601926 | K6X4008T1F-B | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601927 | K6X4008T1F-F | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601928 | K6X4008T1F-GB55 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601929 | K6X4008T1F-GB70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601930 | K6X4008T1F-GB85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601931 | K6X4008T1F-GF55 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601932 | K6X4008T1F-GF70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601933 | K6X4008T1F-GF85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601934 | K6X4008T1F-GQ70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601935 | K6X4008T1F-GQ85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601936 | K6X4008T1F-MB55 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601937 | K6X4008T1F-MB70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601938 | K6X4008T1F-MB85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601939 | K6X4008T1F-MF55 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601940 | K6X4008T1F-MF70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601941 | K6X4008T1F-MF85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601942 | K6X4008T1F-Q | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601943 | K6X4008T1F-VB55 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601944 | K6X4008T1F-VB70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601945 | K6X4008T1F-VB85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601946 | K6X4008T1F-VF55 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601947 | K6X4008T1F-VF70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601948 | K6X4008T1F-VF85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601949 | K6X4008T1F-VQ70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601950 | K6X4008T1F-VQ85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601951 | K6X4008T1F-YB55 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601952 | K6X4008T1F-YB70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601953 | K6X4008T1F-YB85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601954 | K6X4008T1F-YF55 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601955 | K6X4008T1F-YF70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601956 | K6X4008T1F-YF85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601957 | K6X4008T1F-YQ70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601958 | K6X4008T1F-YQ85 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 512Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601959 | K6X4016C3F | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 256Kx16 | Samsung Electronic |
601960 | K6X4016C3F-B | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 256Kx16 | Samsung Electronic |
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