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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
610801KM418RD32C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
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610804KM418RD4AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
610805KM418RD4C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
610806KM418RD4D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
610807KM418RD8AC128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
610808KM418RD8AC(D)-RG60128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
610809KM418RD8AC(D)-RK70128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
610810KM418RD8AC(D)-RK80128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
610811KM418RD8AC-RG60256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 53.3 ns, velocitą: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic
610812KM418RD8AC-RK70256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, velocitą: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
610813KM418RD8AC-RK80256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, velocitą: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610814KM418RD8AD128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
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610817KM418RD8AD-RK80256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, velocitą: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
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610820KM41C4000DRAM dinamica di CMOS del 1Bit di 4M x con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
610821KM41C4000DJ-54M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 16 ms di aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
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610827KM41C4000DLT-54M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 128ms di aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
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610833KM41V4000DRAM dinamica di CMOS del 1Bit di 4M x con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
610834KM41V4000DJ-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 16 ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
610835KM41V4000DJ-74M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 16 ms di aggiornamento, 70nsSamsung Electronic
610836KM41V4000DLJ-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 128ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
610837KM41V4000DLJ-74M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 128ms di aggiornamento, 70nsSamsung Electronic
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610840KM41V4000DT-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 16 ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
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