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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
611561KM684000CLI-LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611562KM684000CLP-5RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611563KM684000CLP-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611564KM684000CLP-7RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611565KM684000CLP-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611566KM684000CLR-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611567KM684000CLR-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611568KM684000CLRI-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611569KM684000CLRI-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611570KM684000CLT-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611571KM684000CLT-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611572KM684000CLTI-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611573KM684000CLTI-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
611574KM684000G-10512Kx8 bit RAM CMOS statica, 100nsSamsung Electronic
611575KM684000G-5512Kx8 bit RAM CMOS statica, 55nsSamsung Electronic
611576KM684000G-7512Kx8 bit RAM CMOS statica, 70nsSamsung Electronic
611577KM684000G-8512Kx8 bit RAM CMOS statica, 80nsSamsung Electronic
611578KM684000LALTA RAM DI ELETTRICITĄ STATICA DI CMOS DI ALTA VELOCITĄ DELLA PUNTA 512CKx8Samsung Electronic



611579KM684000LGALTA RAM DI ELETTRICITĄ STATICA DI CMOS DI ALTA VELOCITĄ DELLA PUNTA 512CKx8Samsung Electronic
611580KM684000LG-10512Kx8 bit RAM CMOS statica, 100nsSamsung Electronic
611581KM684000LG-10L512Kx8 bit RAM CMOS statica, 100ns, bassa potenzaSamsung Electronic
611582KM684000LG-5512Kx8 bit RAM CMOS statica, 55nsSamsung Electronic
611583KM684000LG-5L512Kx8 bit RAM CMOS statica, 55ns, bassa potenzaSamsung Electronic
611584KM684000LG-7512Kx8 bit RAM CMOS statica, 70nsSamsung Electronic
611585KM684000LG-7L512Kx8 bit RAM CMOS statica, 70ns, bassa potenzaSamsung Electronic
611586KM684000LG-8512Kx8 bit RAM CMOS statica, 85nsSamsung Electronic
611587KM684000LG-8L512Kx8 bit RAM CMOS statica, 85ns, bassa potenzaSamsung Electronic
611588KM684000LG-LALTA RAM DI ELETTRICITĄ STATICA DI CMOS DI ALTA VELOCITĄ DELLA PUNTA 512CKx8Samsung Electronic
611589KM684000LGI-10512Kx8 bit RAM CMOS statica, 100nsSamsung Electronic
611590KM684000LGI-10L512Kx8 bit RAM CMOS statica, 100ns, bassa potenzaSamsung Electronic
611591KM684000LGI-7512Kx8 bit RAM CMOS statica, 70nsSamsung Electronic
611592KM684000LGI-7L512Kx8 bit RAM CMOS statica, 70ns, bassa potenzaSamsung Electronic
611593KM684000LGI-8512Kx8 bit RAM CMOS statica, 85nsSamsung Electronic
611594KM684000LGI-8L512Kx8 bit RAM CMOS statica, 85ns, bassa potenzaSamsung Electronic
611595KM684000LI524,288K WORD x RAM AD ALTA VELOCITĄ di ELETTRICITĄ STATICA di CMOS dei 8 BITSamsung Electronic
611596KM684000LI-10524,288K WORD x RAM AD ALTA VELOCITĄ di ELETTRICITĄ STATICA di CMOS dei 8 BITSamsung Electronic
611597KM684000LI-10L524,288K WORD x RAM AD ALTA VELOCITĄ di ELETTRICITĄ STATICA di CMOS dei 8 BITSamsung Electronic
611598KM684000LI-7524,288K WORD x RAM AD ALTA VELOCITĄ di ELETTRICITĄ STATICA di CMOS dei 8 BITSamsung Electronic
611599KM684000LI-7L524,288K WORD x RAM AD ALTA VELOCITĄ di ELETTRICITĄ STATICA di CMOS dei 8 BITSamsung Electronic
611600KM684000LI-8524,288K WORD x RAM AD ALTA VELOCITĄ di ELETTRICITĄ STATICA di CMOS dei 8 BITSamsung Electronic
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