| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 691921 | M35080BN | 8 Bus Di serie EEPROM Di Kbit SPI Con I Registri Incrementali | ST Microelectronics |
| 691922 | M35080FP | I Microcontroller Di 3508 Serie: Regolatori di OSD | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691923 | M35080MN | 8 Bus Di serie EEPROM Di Kbit SPI Con I Registri Incrementali | ST Microelectronics |
| 691924 | M35101 | 13,56 MEGAHERTZ, ISO 14443, CIRCUITO INTEGRATO DI MEMORIA SENZA CONTATTO 2048-bit EEPROM | ST Microelectronics |
| 691925 | M35101 | 13,56 MEGAHERTZ, ISO 14443, CIRCUITO INTEGRATO DI MEMORIA SENZA CONTATTO 2048-bit EEPROM | SGS Thomson Microelectronics |
| 691926 | M35101 | Circuito integrato Di Memoria Senza contatto 13,56 Megahertz, 2048-bit Alta Resistenza EEPROM | SGS Thomson Microelectronics |
| 691927 | M35101-C20 | Circuito integrato Di Memoria Senza contatto 13,56 Megahertz, 2048-bit Alta Resistenza EEPROM | ST Microelectronics |
| 691928 | M35101-C30 | Circuito integrato Di Memoria Senza contatto 13,56 Megahertz, 2048-bit Alta Resistenza EEPROM | ST Microelectronics |
| 691929 | M35101-S4 | Circuito integrato Di Memoria Senza contatto 13,56 Megahertz, 2048-bit Alta Resistenza EEPROM | ST Microelectronics |
| 691930 | M35101-W4 | Circuito integrato Di Memoria Senza contatto 13,56 Megahertz, 2048-bit Alta Resistenza EEPROM | ST Microelectronics |
| 691931 | M35102 | 13,56 MEGAHERTZ, ISO 14443, CIRCUITO INTEGRATO DI MEMORIA SENZA CONTATTO 2048-bit EEPROM CON L'CIdentificazione UNICA DI PUBBLICAZIONE PERIODICA 64-bit | ST Microelectronics |
| 691932 | M35102 | 13,56 MEGAHERTZ, ISO 14443, CIRCUITO INTEGRATO DI MEMORIA SENZA CONTATTO 2048-bit EEPROM CON L'CIdentificazione UNICA DI PUBBLICAZIONE PERIODICA 64-bit | SGS Thomson Microelectronics |
| 691933 | M35102 | Memoria senza contatto con l'identificazione unica 64-bit di pubblicazione periodica 13,56 megahertz, 2048-bit alta resistenza EEPROM | SGS Thomson Microelectronics |
| 691934 | M35102-C20 | Circuito integrato di memoria senza contatto con l'identificazione unica 64-bit di pubblicazione periodica 13.56 megahertz, 2048-bit alta resistenza EEPROM | ST Microelectronics |
| 691935 | M35102-C30 | Circuito integrato di memoria senza contatto con l'identificazione unica 64-bit di pubblicazione periodica 13.56 megahertz, 2048-bit alta resistenza EEPROM | ST Microelectronics |
| 691936 | M35102-S4 | Circuito integrato di memoria senza contatto con l'identificazione unica 64-bit di pubblicazione periodica 13.56 megahertz, 2048-bit alta resistenza EEPROM | ST Microelectronics |
| 691937 | M35102-W4 | Circuito integrato di memoria senza contatto con l'identificazione unica 64-bit di pubblicazione periodica 13.56 megahertz, 2048-bit alta resistenza EEPROM | ST Microelectronics |
| 691938 | M35500 | REGOLATORE DI FLD(vfd) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691939 | M35500ADP | REGOLATORE DI FLD(vfd) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691940 | M35500AFP | REGOLATORE DI FLD(vfd) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691941 | M35500BGP | REGOLATORE DI FLD(vfd) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691942 | M35501FP | ESPANSORE DELLA CIFRA DI FLD(vfd) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691943 | M35502AFP | REGOLATORE DI FLD | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691944 | M35B32 | 32 Kbit SPI bus EEPROM seriale, pagina 256-byte, programmazione veloce | ST Microelectronics |
| 691945 | M35B32-WDW6TP | 32 Kbit SPI bus EEPROM seriale, pagina 256-byte, programmazione veloce | ST Microelectronics |
| 691946 | M35B32-WMC6TG | 32 Kbit SPI bus EEPROM seriale, pagina 256-byte, programmazione veloce | ST Microelectronics |
| 691947 | M35B32-WMN3TP/K | 32 Kbit SPI bus EEPROM seriale, pagina 256-byte, programmazione veloce | ST Microelectronics |
| 691948 | M35B32-WMN6TP | 32 Kbit SPI bus EEPROM seriale, pagina 256-byte, programmazione veloce | ST Microelectronics |
| 691949 | M35SP-11NK | Corpo piů sottile fra la serie di modello con il diametro 35 | Mitsumi Electric |
| 691950 | M3669 | Mini formato degli elementi discreti a semiconduttore | SINYORK |
| 691951 | M366F040(8)4DT1-C EDO MODE WITHOUT BUFFE | 4MB x 64 DRAM DIMM usando 4MB x 16, 4KB & 8KB rinfrescano il foglio di dati 3.3V | Samsung Electronic |
| 691952 | M366F080(8)3DJ3-C EDO MODE WITHOUT BUFFE | 8M x 64 DRAM DIMM usando 8Mx8, 8K & 4K rinfrescano, foglio di dati 3.3V | Samsung Electronic |
| 691953 | M366F080(8)3DJ3-C MODE WITHOUT BUFFER | 8M x 64 DRAM DIMM usando 8Mx8, 8K & 4K rinfrescano, foglio di dati 3.3V | Samsung Electronic |
| 691954 | M366S0424DTS | 4M x 64 SDRAM DIMM basati su 8M x su 8, 4Banks, 4K rinfrescano, dRAMs sincroni 3.3V con presenza di serie di SPD rilevano | Samsung Electronic |
| 691955 | M366S0424DTS | 4M x 64 SDRAM DIMM basati su 8M x su 8, 4Banks, 4K rinfrescano, dRAMs sincroni 3.3V con presenza di serie di SPD rilevano | Samsung Electronic |
| 691956 | M366S0424ETS | 4Mx64 SDRAM DIMM basati su 4Mx16, 4Banks, 4K rinfrescano, dRAMs sincroni 3.3V con il foglio di dati di SPD | Samsung Electronic |
| 691957 | M366S0424FTS | 4Mx64 SDRAM DIMM basati su 4Mx16, 4Banks, 4K rinfrescano, dRAMs sincroni 3.3V con il foglio di dati di SPD | Samsung Electronic |
| 691958 | M366S0823DTS | 8M x 64 SDRAM DIMM basati su 8M x su 8, 4Banks, 4K rinfrescano, dRAMs sincroni 3.3V con presenza di serie di SPD rilevano | Samsung Electronic |
| 691959 | M366S0823DTS | 8M x 64 SDRAM DIMM basati su 8M x su 8, 4Banks, 4K rinfrescano, dRAMs sincroni 3.3V con il foglio di dati di SPD | Samsung Electronic |
| 691960 | M366S0823DTS | 8M x 64 SDRAM DIMM basati su 8M x su 8, 4Banks, 4K rinfrescano, dRAMs sincroni 3.3V con il foglio di dati di SPD | Samsung Electronic |
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