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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
722201M470L2923BN0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722202M470L2923BN0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722203M470L2923BN0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722204M470L2923BN0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722205M470L2923BN0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722206M470L2923BN0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722207M470L2923BN0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722208M470L2923BN0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722209M470L2923BN0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722210M470L2923BN0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722211M470L2923BN0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722212M470L2923BN0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722213M470L2923BN0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722214M470L2923BN0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722215M470L2923BNV0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722216M470L2923BNV0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722217M470L2923BNV0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722218M470L2923BNV0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic



722219M470L2923BNV0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722220M470L2923BNV0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722221M470L2923BNV0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722222M470L2923BNV0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722223M470L2923BNV0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722224M470L2923BNV0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722225M470L2923BNV0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722226M470L2923BNV0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722227M470L2923BNV0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722228M470L2923BNV0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722229M470L2923BNV0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722230M470L2923BNV0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722231M470L3223BT032Mx64 200pin DDR SDRAM SODIMM basati sul foglio di dati 32Mx8Samsung Electronic
722232M470L3223DT0MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
722233M470L3223DT0MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
722234M470L3223DT0-CA0MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
722235M470L3223DT0-CA0MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
722236M470L3223DT0-CA2MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
722237M470L3223DT0-CA2MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
722238M470L3223DT0-CB0MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
722239M470L3223DT0-CB0MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
722240M470L3223DT0-CB3MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
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