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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
722321M470L6423EN512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
722322M470L6423EN0-A2512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
722323M470L6423EN0-A2512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
722324M470L6423EN0-B0512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
722325M470L6423EN0-B0512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
722326M470L6423EN0-CB3512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
722327M470L6423EN0-CB3512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
722328M470L6423EN0-CLB3512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
722329M470L6423EN0-CLB3512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
722330M470L6524BT0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722331M470L6524BT0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722332M470L6524BT0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722333M470L6524BT0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722334M470L6524BT0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722335M470L6524BT0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722336M470L6524BT0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722337M470L6524BT0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722338M470L6524BT0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722339M470L6524BT0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic



722340M470L6524BT0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722341M470L6524BT0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722342M470L6524BT0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722343M470L6524BT0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722344M470L6524BT0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722345M470L6524BT0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722346M470L6524BTU0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722347M470L6524BTU0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722348M470L6524BTU0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722349M470L6524BTU0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722350M470L6524BTU0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722351M470L6524BTU0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722352M470L6524BTU0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722353M470L6524BTU0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722354M470L6524BTU0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722355M470L6524BTU0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722356M470L6524BTU0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722357M470L6524BTU0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722358M470L6524BTU0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722359M470L6524BTU0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
722360M470L6524BTU0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
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