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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
779121MBC13720T1Amplificatore con l'interruttore di esclusioneMotorola
779122MBC13900Foglio Di Dati Tecnico MBC13900: Transistore Basso Per la misurazione del rumore Del Silicone di NPNMotorola
779123MBC13900Transistore Basso Per la misurazione del rumore Del Silicone di NPNFreescale (Motorola)
779124MBC13900/DTransistore Basso Per la misurazione del rumore Del Silicone di NPNMotorola
779125MBC13900PPFoglio Di Dati Di Previsione Del Prodotto MBC13900: Transistore Basso Per la misurazione del rumore Del Silicone di NPNMotorola
779126MBC13900T1Transistore Basso Per la misurazione del rumore Del Silicone di NPNMotorola
779127MBC13916Foglio Di Dati Tecnico MBC13916: Amplificatore Di Uso generale SiGe:C Rf CascodeMotorola
779128MBC13916Amplificatore Di Uso generale SiGe:C Rf CascodeFreescale (Motorola)
779129MBC13916T1Amplificatore Di Uso generale Sige:CRF CascodeMotorola
779130MBD101Diodi Di Barriera Dello SchottkyON Semiconductor
779131MBD101Silicon hot-carrier mixer UNF Diode (Diodo a barriera Schottky).Motorola
779132MBD101-DDiodi Di Barriera Dello SchottkyON Semiconductor
779133MBD110DWDiodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyON Semiconductor
779134MBD110DWT1Diodi Di Barriera Doppi dello SCHOTTKYLeshan Radio Company
779135MBD110DWT1Diodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyMotorola
779136MBD110DWT1Diodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyON Semiconductor
779137MBD110DWT1-DDiodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyON Semiconductor
779138MBD301Diodi Di Barriera Dello Schottky Dei Diodi Dell'Caldo-Elemento portante Del SiliconeLeshan Radio Company



779139MBD30130 VOLT DIODI DI RIVELATORE E DI COMMUTAZIONE DEL SILICONE HOT.carrierMotorola
779140MBD301Diodi Dell'Caldo-Elemento portante Del SiliconeON Semiconductor
779141MBD301-DDiodi Di Barriera dello SCHOTTKY Dei Diodi Dell'Caldo-Elemento portante Del SiliconeON Semiconductor
779142MBD301LT130 VOLT DIODI DI RIVELATORE E DI COMMUTAZIONE DEL SILICONE HOT.carrierMotorola
779143MBD330DDiodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyMotorola
779144MBD330DWDiodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyON Semiconductor
779145MBD330DWT1Diodi Di Barriera Doppi dello SCHOTTKYLeshan Radio Company
779146MBD330DWT1Diodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyMotorola
779147MBD330DWT1Diodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyON Semiconductor
779148MBD54DWDiodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyON Semiconductor
779149MBD54DWT1Diodi Di Barriera Doppi dello SCHOTTKYLeshan Radio Company
779150MBD54DWT130 VOLT SI RADDOPPIANO DIODI DEL RIVELATORE E DI COMMUTAZIONE DI HOT.carrierMotorola
779151MBD54DWT1Diodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyON Semiconductor
779152MBD54DWT1-DDiodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyON Semiconductor
779153MBD54DWT1DDiodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyON Semiconductor
779154MBD701Diodi Dell'Caldo-Elemento portante Del SiliconeLeshan Radio Company
779155MBD70170 VOLT DIODI AD ALTA TENSIONE DI RIVELATORE E DI COMMUTAZIONE DEL SILICONE HOT.carrierMotorola
779156MBD701Diodo Dell'Caldo-Elemento portante Del SiliconeON Semiconductor
779157MBD701-DDiodi Di Barriera Dello Schottky Dei Diodi Dell'Caldo-Elemento portante Del SiliconeON Semiconductor
779158MBD701LT170 VOLT DIODI AD ALTA TENSIONE DI RIVELATORE E DI COMMUTAZIONE DEL SILICONE HOT.carrierMotorola
779159MBD770DWDiodi Di Barriera Doppi Dello SchottkyON Semiconductor
779160MBD770DWT1Diodi Di Barriera Doppi dello SCHOTTKYLeshan Radio Company
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