| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 823281 | MGSF3454VT1-D | I MOSFETs Small-Signal Bassi TMOS Di Rds(on) Scelgono I Transistori Di Effetto Del Giacimento Della N-Scanalatura | ON Semiconductor |
| 823282 | MGSF3454VT3 | Low RDS (on) piccolo segnale TMOS singolo MOSFET a canale N transistor ad effetto di campo | Motorola |
| 823283 | MGSF3454XT1 | Mosfet Di Aumento-modo TMOS Della N-scanalatura | Motorola |
| 823284 | MGSF3454XT1 | MOSFET Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 823285 | MGSF3454XT1-D | I MOSFETs Small-Signal Bassi TMOS Di Rds(on) Scelgono I Transistori Di Effetto Del Giacimento Della N-Scanalatura | ON Semiconductor |
| 823286 | MGSF3454XT3 | Low RDS (on) piccolo segnale TMOS singolo MOSFET a canale N transistor ad effetto di campo | Motorola |
| 823287 | MGSF3455VT1 | Mosfet Di Aumento-modo TMOS Della P-scanalatura | Motorola |
| 823288 | MGSF3455VT1-D | I MOSFETs Small-Signal Bassi TMOS Di Rds(on) Scelgono I Transistori Di Effetto Del Giacimento Della P-Scanalatura | ON Semiconductor |
| 823289 | MGSF3455VT3 | Low RDS (on) piccolo segnale TMOS singolo MOSFET a canale N transistor ad effetto di campo | Motorola |
| 823290 | MGSF3455XT1 | Mosfet Di Aumento-modo TMOS Della P-scanalatura | Motorola |
| 823291 | MGSF3455XT1 | Singolo MOSFET P-Channel | ON Semiconductor |
| 823292 | MGSF3455XT1-D | I MOSFETs Small-Signal Bassi TMOS Di Rds(on) Scelgono I Transistori Di Effetto Del Giacimento Della P-Scanalatura | ON Semiconductor |
| 823293 | MGSF3455XT3 | Low RDS (on) piccolo segnale TMOS singolo MOSFET a canale N transistor ad effetto di campo | Motorola |
| 823294 | MGTO1000 | Tiristore turn-off del cancello/tensione off-state peak ripetuta 1000 A V/18 RMS | Motorola |
| 823295 | MGTO1200 | IL CANCELLO SPEGNE I TIRISTORI | Motorola |
| 823296 | MGV12N120D | Transistore bipolare isolato del cancello con il diodo Anti-Parallelo | Motorola |
| 823297 | MGW12N120 | Transistore Bipolare Isolato Del Cancello | Motorola |
| 823298 | MGW12N120 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel | ON Semiconductor |
| 823299 | MGW12N120-D | Porta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del Cancello | ON Semiconductor |
| 823300 | MGW12N120D | Transistore bipolare isolato del cancello con il diodo Anti-Parallelo | Motorola |
| 823301 | MGW12N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor con Anti-Parallel diodo N-Channel | ON Semiconductor |
| 823302 | MGW12N120D-D | Transistore bipolare isolato del cancello con la porta al silicio Anti-Parallela di Aumento-Modo della N-Scanalatura del diodo | ON Semiconductor |
| 823303 | MGW14N60ED | Transistore Bipolare Isolato Del Cancello | ON Semiconductor |
| 823304 | MGW14N60ED-D | Porta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del Cancello | ON Semiconductor |
| 823305 | MGW20N120 | Transistore Bipolare Isolato Del Cancello | Motorola |
| 823306 | MGW20N120 | OBSOLETO - Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel | ON Semiconductor |
| 823307 | MGW20N120-D | Porta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del Cancello | ON Semiconductor |
| 823308 | MGW20N60D | Transistore bipolare isolato del cancello con il diodo Anti-Parallelo | Motorola |
| 823309 | MGW21N60ED | Transistore Bipolare Isolato Del Cancello | Motorola |
| 823310 | MGW21N60ED-D | Porta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del Cancello | ON Semiconductor |
| 823311 | MGW30N60 | Transistore Bipolare Isolato Del Cancello | Motorola |
| 823312 | MGY20N120D | Transistore bipolare isolato del cancello con il diodo Anti-Parallelo | Motorola |
| 823313 | MGY20N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor con Anti-Parallel diodo N-Channel | ON Semiconductor |
| 823314 | MGY20N120D-D | Transistore bipolare isolato del cancello con la porta al silicio Anti-Parallela di Aumento-Modo della N-Scanalatura del diodo | ON Semiconductor |
| 823315 | MGY25N120 | Transistore Bipolare Isolato Del Cancello | Motorola |
| 823316 | MGY25N120 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel | ON Semiconductor |
| 823317 | MGY25N120-D | Porta al silicio Bipolare Isolata Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Del Cancello | ON Semiconductor |
| 823318 | MGY25N120D | Transistore bipolare isolato del cancello con il diodo Anti-Parallelo | Motorola |
| 823319 | MGY25N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor con Anti-Parallel diodo N-Channel | ON Semiconductor |
| 823320 | MGY25N120D-D | Transistore bipolare isolato del cancello con la porta al silicio Anti-Parallela di Aumento-Modo della N-Scanalatura del diodo | ON Semiconductor |
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