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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
888481SSUR3160RRaddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns)Microsemi
888482SSUR70120Raddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns)Microsemi
888483SSUR70120RRaddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns)Microsemi
888484SSUR7140Raddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns)Microsemi
888485SSUR7140RRaddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns)Microsemi
888486SSUR7160Raddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns)Microsemi
888487SSUR7160RRaddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns)Microsemi
888488SSW10N60BMosfet Della N-Scanalatura 600VFairchild Semiconductor
888489SSW10N60BTMB-B-fet Della N-Scanalatura 600VFairchild Semiconductor
888490SSW1N50BMosfet Della N-Scanalatura 520VFairchild Semiconductor
888491SSW1N50BTMB-b-fet della N-Scanalatura 500V/sostituto di SSW1N50AFairchild Semiconductor
888492SSW1N60BMosfet Della N-Scanalatura 600VFairchild Semiconductor
888493SSW1N60BTMB-b-fet della N-Scanalatura 600V/sostituto di SSW1N60AFairchild Semiconductor
888494SSW2N60BMosfet Della N-Scanalatura 600VFairchild Semiconductor
888495SSW2N60BTMB-b-fet della N-Scanalatura 600V/sostituto di SSW2N60AFairchild Semiconductor
888496SSW4N60BMosfet Della N-Scanalatura 600VFairchild Semiconductor
888497SSW4N60BTMB-b-fet della N-Scanalatura 600V/sostituto di SSW4N60AFairchild Semiconductor
888498SSW7N60BMosfet Della N-Scanalatura 600VFairchild Semiconductor
888499SSW7N60BTMB-b-fet della N-Scanalatura 600V/sostituto di SSW7N60AFairchild Semiconductor



888500STCondensatori bagnati con la guarnizione ermetica, CARATTERISTICHE del tantalio di SuperTan®: Capacitą molto alta, 10 a 1800µF, 25 a 125VDC, -55°C a + 125°C, esr molto basso ed alta corrente dell'ondulazioneVishay
888501ST-1CL3HFototransistore del silicone di sensibilitą NPN del transistors(high della foto montato)Kondenshi Corp
888502ST-1KAI fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto hanno montato in bene durevole)Kondenshi Corp
888503ST-1KBI fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto hanno montato in bene durevole)Kondenshi Corp
888504ST-1KL3AI fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto hanno montato in bene durevole)Kondenshi Corp
888505ST-1KL3BI fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto hanno montato in bene durevole)Kondenshi Corp
888506ST-1KLATransistori Della FotoKondenshi Corp
888507ST-1MLAFototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto montati)Kondenshi Corp
888508ST-1MLAR2Fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto montati)Kondenshi Corp
888509ST-1MLBFototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto montati)Kondenshi Corp
888510ST-23GIl fototransistore del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto ha montato in una radura che sidelooking)Kondenshi Corp
888511ST-23GTRANSISTORI DELLA FOTOKondenshi Corp
888512ST-305Il fototransistore del silicone di alto-sensibilitą NPN di transistors(a della foto ha montato in una radura che sidelooking)Kondenshi Corp
888513ST-309Fototransistore del silicone di transistors(high-sensibilitą della foto)Kondenshi Corp
888514ST-313R4Fototransistore del silicone di transistors(high-sensibilitą della foto con two-phaseoutput)Kondenshi Corp
888515ST-325Fototransistore del silicone di sensibilitą NPN del transistors(high della foto montato)Kondenshi Corp
888516ST-REALIZER/PCSt-realizer V2.2 DATASHEET (PER ST62 & ST7 MCUS 8-bit)ST Microelectronics
888517ST-REALIZER/PCSt-realizer V2.2 DATASHEET (PER ST62 & ST7 MCUS 8-bit)SGS Thomson Microelectronics
888518ST02D-170Protezioni Di Impulso/Trankillers (Assiale)Shindengen
888519ST02D-17F2Protezioni Di Impulso/Trankillers (Supporto Di superficie)Shindengen
888520ST02D-200Protezioni Di Impulso/Trankillers (Assiale)Shindengen
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