| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 890161 | MMBT5088LT1 | Rumore Basso Del Piccolo Segnale | ON Semiconductor |
| 890162 | MMBT5088LT1-D | Silicone Basso Dei Transistori NPN Per la misurazione del rumore | ON Semiconductor |
| 890163 | MMBT5089 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890164 | MMBT5089 | Silicone di NPN transistor a basso rumore. | Motorola |
| 890165 | MMBT5089 | 30 V, 50 mA, transistor NPN silicio epitassiale | Samsung Electronic |
| 890166 | MMBT5089L | Rumore Basso Del Piccolo Segnale | ON Semiconductor |
| 890167 | MMBT5089LT1 | Silicone Basso Di Transistors(NPN Di Rumore) | Leshan Radio Company |
| 890168 | MMBT5089LT1 | Transistori Bassi Per la misurazione del rumore | Motorola |
| 890169 | MMBT5089LT1 | Rumore Basso Del Piccolo Segnale | ON Semiconductor |
| 890170 | MMBT5179 | Transistore di NPN Rf | Fairchild Semiconductor |
| 890171 | MMBT5179_NL | Transistore di NPN Rf | Fairchild Semiconductor |
| 890172 | MMBT5210 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890173 | MMBT5401 | Amplificatore Di Uso generale di PNP | National Semiconductor |
| 890174 | MMBT5401 | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890175 | MMBT5401 | Transistori Bipolari | Diodes |
| 890176 | MMBT5401 | SILICONE AD ALTA TENSIONE DEL TRANSISTORE PNP | Zowie Technology Corporation |
| 890177 | MMBT5401 | PICCOLO TRANSISTORE DEL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL SEGNALE DI PNP | TRSYS |
| 890178 | MMBT5401 | PNP silicio transistore ad alta tensione. | Motorola |
| 890179 | MMBT5401 | 180 V, supporto PNP piccola superficie del segnale transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 890180 | MMBT5401-7 | PICCOLO TRANSISTORE DEL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL SEGNALE DI PNP | Diodes |
| 890181 | MMBT5401-7-F | Bipolar Transistor | Diodes |
| 890182 | MMBT5401-G | Transistor impieghi generali, V CBO = -160V, V CEO = -150V, V EBO = -5V, io C = -0.6A | Comchip Technology |
| 890183 | MMBT5401L | Piccola Alta tensione Del Segnale | ON Semiconductor |
| 890184 | MMBT5401LT1 | Silicone Ad alta tensione Di Transistor(PNP) | Leshan Radio Company |
| 890185 | MMBT5401LT1 | Transistore Ad alta tensione | Motorola |
| 890186 | MMBT5401LT1 | Piccola Alta tensione Del Segnale | ON Semiconductor |
| 890187 | MMBT5401LT1-D | Silicone Ad alta tensione Del Transistore PNP | ON Semiconductor |
| 890188 | MMBT5401LT1G | Silicone Ad alta tensione Di Transistor(PNP) | ON Semiconductor |
| 890189 | MMBT5401LT3 | Piccola Alta tensione Del Segnale | ON Semiconductor |
| 890190 | MMBT5401LT3G | Silicone Ad alta tensione Di Transistor(PNP) | ON Semiconductor |
| 890191 | MMBT5401W | Mini formato degli elementi discreti a semiconduttore | SINYORK |
| 890192 | MMBT5401W | High Voltage Transistor | ON Semiconductor |
| 890193 | MMBT5401_D87Z | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890194 | MMBT5401_NL | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890195 | MMBT5550 | SILICONE AD ALTA TENSIONE DEL TRANSISTORE NPN | Zowie Technology Corporation |
| 890196 | MMBT5550 | NPN epitassiale del silicone del transistore | Fairchild Semiconductor |
| 890197 | MMBT5550 | Silicone di NPN transistor ad alta tensione. | Motorola |
| 890198 | MMBT5550 | 160 V, 600 mA, transistor NPN al silicio epitassiale | Samsung Electronic |
| 890199 | MMBT5550L | Piccola Alta tensione Del Segnale | ON Semiconductor |
| 890200 | MMBT5550LT1 | Silicone Ad alta tensione Di Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
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