| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 926801 | NDF08N50Z | MOSFET di alimentazione 500V 0.850 Ohm Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 926802 | NDF08N60Z | MOSFET di alimentazione 600V 0.95 Ohm Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 926803 | NDF10N60Z | MOSFET di potenza, N-Channel, 600 V, 0,75 O | ON Semiconductor |
| 926804 | NDF10N62Z | MOSFET di alimentazione 620V 0.750 Ohm Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 926805 | NDF11N50Z | MOSFET di alimentazione 500V 0,52 Ohm Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 926806 | NDF60N360U1 | N-Channel MOSFET di alimentazione, 600 V, 360 mOhm | ON Semiconductor |
| 926807 | NDF653 | Diodo Veloce Di Recupero | Dynex Semiconductor |
| 926808 | NDF65310 | Diodo Veloce Di Recupero | Dynex Semiconductor |
| 926809 | NDF65312 | Diodo Veloce Di Recupero | Dynex Semiconductor |
| 926810 | NDF65314 | Diodo Veloce Di Recupero | Dynex Semiconductor |
| 926811 | NDF65316 | Diodo Veloce Di Recupero | Dynex Semiconductor |
| 926812 | NDF7-17P-2.54DSA | Connettore Del Tipo Dell'Entrata Della Parte inferiore Del Passo Di 2.54mm | Hirose Electric |
| 926813 | NDF7000A | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926814 | NDH8301N | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926815 | NDH8301N | Dual N-Channel Modo Di Aumento effetto di campo transistor [Non consigliato per nuovi progetti] | Fairchild Semiconductor |
| 926816 | NDH8302P | Transistori Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926817 | NDH8303N | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926818 | NDH8303N | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926819 | NDH8303N | Dual N-Channel Modo Di Aumento effetto di campo transistor [Non consigliato per nuovi progetti] | Fairchild Semiconductor |
| 926820 | NDH8304 | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 926821 | NDH8304P | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926822 | NDH8304P | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 926823 | NDH8304P_NL | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 926824 | NDH831N | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926825 | NDH831N | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 926826 | NDH8320C | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura & Di N | National Semiconductor |
| 926827 | NDH8320C | Dual N e P-Channel Modo Di Aumento Campo EffectTransistor [Non consigliato per nuovi progetti] | Fairchild Semiconductor |
| 926828 | NDH8321C | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura & Di N | Fairchild Semiconductor |
| 926829 | NDH832P | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 926830 | NDH833N | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926831 | NDH833N | Lunghezza / Altezza 1,02 millimetri Larghezza 4,55 millimetri Profonditŕ 4,06 millimetri Potenza dissipata 1,8 W Polaritŕ transistor N-Channel Id corrente continua. 7.1 A Tensione Vgs ° max. 2.7 V di tensione Vds max 20 V | Fairchild Semiconductor |
| 926832 | NDH834P | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926833 | NDH834P | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 926834 | NDH8436 | Transistori Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926835 | NDH8436 | Lunghezza / Altezza 1,02 millimetri Larghezza 4,55 millimetri Profonditŕ 4,06 millimetri Potenza dissipata 1,8 W Polaritŕ transistor N-Channel Id corrente continua. 5.8 A Tensione Vgs ° max. 4,5 V di tensione Vds max 30 V | Fairchild Semiconductor |
| 926836 | NDH8447 | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 926837 | NDH8501N | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926838 | NDH8502P | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926839 | NDH8502P | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | National Semiconductor |
| 926840 | NDH8502P | Transistore Di Effetto Di Campo Doppio Di Modo Di Aumento Della P-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
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