| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 927961 | NE1619DS | HECETA4 temperatura e controllo della tensione | NXP Semiconductors |
| 927962 | NE2001-VA20 | Vicino al printhead termico del bordo (8 puntini/millimetro) | ROHM |
| 927963 | NE2001-VA20A | Scheda Di plastica Termica Di Fro > Di Printheads > NE200 * -, Serie 300*-va@ | ROHM |
| 927964 | NE2002-VA10A | Scheda Di plastica Termica Di Fro > Di Printheads > NE200 * -, Serie 300*-va@ | ROHM |
| 927965 | NE2004-VA10A | Scheda Di plastica Termica Di Fro > Di Printheads > NE200 * -, Serie 300*-va@ | ROHM |
| 927966 | NE202 | Fet ULTRA BASSO Della GIUNZIONE Della FASCIA HETERO Di RUMORE K | NEC |
| 927967 | NE20200 | 12 GHz,, ultra a basso rumore K-band etero giunzione FET | NEC |
| 927968 | NE20200-1.4 | 12 GHz,, ultra a basso rumore K-band etero giunzione FET | NEC |
| 927969 | NE20248 | Fet ULTRA BASSO Della GIUNZIONE Della FASCIA HETERO Di RUMORE K | NEC |
| 927970 | NE20283A | Fet ULTRA BASSO Della GIUNZIONE Della FASCIA HETERO Di RUMORE K | NEC |
| 927971 | NE20283A-1.4 | 12 GHz,, ultra a basso rumore K-band etero giunzione FET | NEC |
| 927972 | NE202XX | Fet ULTRA BASSO Della GIUNZIONE Della FASCIA HETERO Di RUMORE K | NEC |
| 927973 | NE202XX-1.4 | Fet ULTRA BASSO Della GIUNZIONE Della FASCIA HETERO Di RUMORE K | NEC |
| 927974 | NE20300 | 12 GHz,, rumore bassissimo banda Ku etero giunzione FET | NEC |
| 927975 | NE20383A | 12 GHz,, rumore bassissimo banda Ku etero giunzione FET | NEC |
| 927976 | NE21800 | FASCIA BASSA Gaas MESFET Di RUMORE X | NEC |
| 927977 | NE21800 | FASCIA BASSA Gaas MESFET Di RUMORE X | NEC |
| 927978 | NE21889 | FASCIA BASSA Gaas MESFET Di RUMORE X | NEC |
| 927979 | NE21889 | FASCIA BASSA Gaas MESFET Di RUMORE X | NEC |
| 927980 | NE219 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 927981 | NE21900 | 8 GHz, 20 V, NPN transistor di silicio ad alta frequenza | NEC |
| 927982 | NE21903 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 927983 | NE21908 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 927984 | NE21912 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 927985 | NE21935 | TRANSISTORE DEL SILICONE HI FREQUNCY DI NPN | Advanced Semiconductor |
| 927986 | NE21935 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 927987 | NE21937 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 927988 | NE21987 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 927989 | NE22100 | TRANSISTORE MEDIO Di Frequenza-VHF di ALIMENTAZIONE di NPN | NEC |
| 927990 | NE22100 | TRANSISTORE MEDIO Di Frequenza-VHF di ALIMENTAZIONE di NPN | NEC |
| 927991 | NE22120 | TRANSISTORE MEDIO Di Frequenza-VHF di ALIMENTAZIONE di NPN | NEC |
| 927992 | NE22120 | TRANSISTORE MEDIO Di Frequenza-VHF di ALIMENTAZIONE di NPN | NEC |
| 927993 | NE23300 | Super basso rumore HJ FET (spazio qualificato). | NEC |
| 927994 | NE23383B | Amplificatore a rumore bassissimo. N-channel HJ FET (spazio qualificato). | NEC |
| 927995 | NE24200 | C al CIRCUITO INTEGRATO BASSO ECCELLENTE del Hj-hj-fet della N-scanalatura dell'cAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE della FASCIA del Ka | NEC |
| 927996 | NE24283 | Ultra a basso rumore pseudomorfico HJ FET (spazio qualificato). | NEC |
| 927997 | NE25000 | 60 GHz, ad alte prestazioni GaAs dual-gate MESFET | NEC |
| 927998 | NE25118 | GaAS Dual-gate PER TUTTI GLI USI MESFET | NEC |
| 927999 | NE25118-T1 | GaAS Dual-gate PER TUTTI GLI USI MESFET | NEC |
| 928000 | NE25137 | CANCELLO DOPPIO PER TUTTI GLI USI GAAS MESFET | NEC |
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