| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 928641 | NE6500379 | ALIMENTAZIONE GaAs MESFET Di 3W L/S-fascia | NEC |
| 928642 | NE6500379A | 3W L, ALIMENTAZIONE GaAs MESFET Della S-fascia | NEC |
| 928643 | NE6500379A-T1 | 3W L, ALIMENTAZIONE GaAs MESFET Della S-fascia | NEC |
| 928644 | NE6500496 | 4 W L, Fet Di GaAs MES Della N-scanalatura del Fet Di GaAs di ALIMENTAZIONE Della S-fascia | NEC |
| 928645 | NE650103M | NECS 10 ALIMENTAZIONE GaAs MESFET Di W L & di S-BAND | California Eastern Laboratories |
| 928646 | NE650103M | NECS 10 ALIMENTAZIONE GaAs MESFET Di W L & di S-BAND | California Eastern Laboratories |
| 928647 | NE650103M | 10 W, L & S in banda GaAs MESFET di potenza. | NEC |
| 928648 | NE6501077 | 10 W L, Fet Di GaAs MES Della N-scanalatura del Fet Di GaAs di ALIMENTAZIONE Della S-fascia | NEC |
| 928649 | NE650R279A | 0,2 W L, Fet Di GaAs MES di ALIMENTAZIONE Della S-fascia | NEC |
| 928650 | NE650R279A-T1 | 0,2 W L, Fet Di GaAs MES di ALIMENTAZIONE Della S-fascia | NEC |
| 928651 | NE650R479A | 0,4 W L, Fet Di GaAs MES di ALIMENTAZIONE Della S-fascia | NEC |
| 928652 | NE650R479A-T1 | 0,4 W L, Fet Di GaAs MES di ALIMENTAZIONE Della S-fascia | NEC |
| 928653 | NE6510179 | 1 Hj-Hj-fet Di GaAs di ALIMENTAZIONE Della L-fascia Di W | NEC |
| 928654 | NE6510179A | 1 Hj-Hj-fet Di GaAs di ALIMENTAZIONE Della L-fascia Di W | NEC |
| 928655 | NE6510179A-T1 | 1 Hj-Hj-fet Di GaAs di ALIMENTAZIONE Della L-fascia Di W | NEC |
| 928656 | NE6510379A | Hj-Hj-fet Di GaAs di ALIMENTAZIONE Della L-fascia Di 3 W | NEC |
| 928657 | NE6510379A-T1 | Hj-Hj-fet Di GaAs di ALIMENTAZIONE Della L-fascia Di 3 W | NEC |
| 928658 | NE651R479A | 0,4 Hj-Hj-fet Di GaAs di ALIMENTAZIONE Della L-fascia Di W | NEC |
| 928659 | NE651R479A-T1 | 0,4 Hj-Hj-fet Di GaAs di ALIMENTAZIONE Della L-fascia Di W | NEC |
| 928660 | NE661M04 | IL TRANSISTORE del SILICONE Rf di NPN PER BASSO RUMORE CORRENTE E BASSO, AMPLIFICAZIONE High-gain Piano-conduce I 4-perni SOTTILMENTE ECCELLENTI Mini-modella | NEC |
| 928661 | NE661M04-T2 | IL TRANSISTORE del SILICONE Rf di NPN PER BASSO RUMORE CORRENTE E BASSO, AMPLIFICAZIONE High-gain Piano-conduce I 4-perni SOTTILMENTE ECCELLENTI Mini-modella | NEC |
| 928662 | NE662M04 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 928663 | NE662M04 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 928664 | NE662M04-T2 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 928665 | NE662M04-T2 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 928666 | NE662M16 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 928667 | NE662M16-T3 | TRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPN | NEC |
| 928668 | NE663M04-T2 | NPN silicio transistore ad alta frequenza. | NEC |
| 928669 | NE664M04 | TRANSISTORE MEDIO DI FREQUENZA DEL SILICONE DI ALIMENTAZIONE NPN | NEC |
| 928670 | NE664M04 | TRANSISTORE MEDIO DI FREQUENZA DEL SILICONE DI ALIMENTAZIONE NPN | NEC |
| 928671 | NE664M04-T2 | TRANSISTORE MEDIO DI FREQUENZA DEL SILICONE DI ALIMENTAZIONE NPN | NEC |
| 928672 | NE664M04-T2 | TRANSISTORE MEDIO DI FREQUENZA DEL SILICONE DI ALIMENTAZIONE NPN | NEC |
| 928673 | NE66719-T1 | NPN silicio transistore ad alta frequenza. | NEC |
| 928674 | NE67400 | L a banda Ku amplificatore a basso rumore a canale N GaAs MESFET. Idss 20 a 120 mA. | NEC |
| 928675 | NE67483B | L a banda Ku amplificatore a basso rumore a canale N GaAs MESFET. Idss 20 a 120 mA. | NEC |
| 928676 | NE677M04 | TRANSISTORE MEDIO di FREQUENZA del SILICONE di ALIMENTAZIONE NPN Di NECs | California Eastern Laboratories |
| 928677 | NE677M04 | TRANSISTORE MEDIO di FREQUENZA del SILICONE di ALIMENTAZIONE NPN Di NECs | California Eastern Laboratories |
| 928678 | NE677M04-T2 | TRANSISTORE MEDIO di FREQUENZA del SILICONE di ALIMENTAZIONE NPN Di NECs | California Eastern Laboratories |
| 928679 | NE677M04-T2 | TRANSISTORE MEDIO di FREQUENZA del SILICONE di ALIMENTAZIONE NPN Di NECs | California Eastern Laboratories |
| 928680 | NE677M04-T2 | Potenza media del silicone di NPN transistor ad alta frequenza. | NEC |
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