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Osservare tutti i fogli di dati per USHA India LTDGeneral purpose transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 30V. Collector-base voltage: Vcbo = 40V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. Scarica 2N4123 datasheet de
USHA India LTD
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50 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Central SemiconductorPiccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
2N4124, 2N4125, 2N4126,
Scarica 2N4123 datasheet de
Central Semiconductor
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85 kb
Osservare tutti i fogli di dati per ON SemiconductorSilicone Per tutti gli usi Di Transistors(NPN) Scarica 2N4123 datasheet de
ON Semiconductor
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167 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN Scarica 2N4123 datasheet de
Samsung Electronic
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35 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Micro ElectronicsTRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPN Scarica 2N4123 datasheet de
Micro Electronics
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91 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StatePlanar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 30V, 200mA. Scarica 2N4123 datasheet de
General Electric Solid State
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179 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Micro Commercial ComponentsTransistore Per tutti gli usi 625mW Del Silicone di NPN Scarica 2N4123 datasheet de
Micro Commercial Components
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749 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorAmplificatore Di Uso generale di NPN Scarica 2N4123 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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345 kb
Osservare tutti i fogli di dati per MCCIc = 200mA, Vce = transistor 1.0V Scarica 2N4123 datasheet de
MCC
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749 kb
2N4119AVista 2N4123 al nostro catalogo2N4123-D



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