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2N4123 prodotto da: |
General purpose transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 30V. Collector-base voltage: Vcbo = 40V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. | Scarica 2N4123 datasheet de USHA India LTD |
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Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: 2N4124, 2N4125, 2N4126, |
Scarica 2N4123 datasheet de Central Semiconductor |
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Silicone Per tutti gli usi Di Transistors(NPN) | Scarica 2N4123 datasheet de ON Semiconductor |
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TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Scarica 2N4123 datasheet de Samsung Electronic |
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TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Scarica 2N4123 datasheet de Micro Electronics |
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Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 30V, 200mA. | Scarica 2N4123 datasheet de General Electric Solid State |
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Transistore Per tutti gli usi 625mW Del Silicone di NPN | Scarica 2N4123 datasheet de Micro Commercial Components |
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Amplificatore Di Uso generale di NPN | Scarica 2N4123 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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Ic = 200mA, Vce = transistor 1.0V | Scarica 2N4123 datasheet de MCC |
pdf 749 kb |
2N4119A | Vista 2N4123 al nostro catalogo | 2N4123-D |