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Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorAlimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/11/60-100 V

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF120-123, IRF523, IRF120, IRF123, IRF522,
Scarica IRF121 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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171 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil8.0A e 9.À/80V e 100V/0,27 e 0,36 Ohm/mOSFETs alimentazione/della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF122,
Scarica IRF121 datasheet de
Intersil
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72 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF121 datasheet de
Samsung Electronic
pdf
218 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 32A di corrente. Scarica IRF121 datasheet de
General Electric Solid State
pdf
166 kb
IRF120-123Vista IRF121 al nostro catalogoIRF122



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