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Osservare tutti i fogli di dati per Intersil25A e 30A, 150V e 200V, 0,085 e 0,120 Ohm, N-Channel Power MOSFET

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF253, IRF252,
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Intersil
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Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF250,
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Samsung Electronic
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220 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 30A. Scarica IRF251 datasheet de
General Electric Solid State
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200 kb
IRF250SMDVista IRF251 al nostro catalogoIRF252



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