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IRF321 prodotto da: |
MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF320, IRF322, IRF323, |
Scarica IRF321 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 218 kb |
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Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 V D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF320-323, IRF721, IRF723, IRF722, |
Scarica IRF321 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
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2.Å e 3.Á/350V e 400V/mOSFETs di alimentazione 1,8 e 2,5 Ohm/N-Scanalatura | Scarica IRF321 datasheet de Intersil |
pdf 72 kb |
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Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.0A. | Scarica IRF321 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
IRF3205ZSPBF | Vista IRF321 al nostro catalogo | IRF322 |