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Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF320, IRF322, IRF323,
Scarica IRF321 datasheet de
Samsung Electronic
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218 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorAlimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 V

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF320-323, IRF721, IRF723, IRF722,
Scarica IRF321 datasheet de
Fairchild Semiconductor
pdf
170 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil2.Å e 3.Á/350V e 400V/mOSFETs di alimentazione 1,8 e 2,5 Ohm/N-Scanalatura Scarica IRF321 datasheet de
Intersil
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72 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.0A. Scarica IRF321 datasheet de
General Electric Solid State
pdf
167 kb
IRF3205ZSPBFVista IRF321 al nostro catalogoIRF322



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