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Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF322 prodotto da: |
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF323, IRF321, IRF320, |
Scarica IRF322 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF322 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 218 kb |
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2.Å e 3.Á/350V e 400V/mOSFETs di alimentazione 1,8 e 2,5 Ohm/N-Scanalatura | Scarica IRF322 datasheet de Intersil |
pdf 72 kb |
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Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 V D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF320-323, IRF721, IRF723, IRF722, |
Scarica IRF322 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
IRF321 | Vista IRF322 al nostro catalogo | IRF323 |