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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalitÓ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A.

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF330, IRF333, IRF331,
Scarica IRF332 datasheet de
General Electric Solid State
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167 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF332 datasheet de
Samsung Electronic
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213 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil4.5A e 5.5A, 350V e 400V, 1.0 e 1.5 Ohm, N-Channel Power MOSFET Scarica IRF332 datasheet de
Intersil
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63 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorMOSFETs/5.─/350 V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF731, IRF733, IRF330-333, IRF732,
Scarica IRF332 datasheet de
Fairchild Semiconductor
pdf
182 kb
IRF3315STRRVista IRF332 al nostro catalogoIRF333



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