|
| Home | Tutti i fornitori | Dalla funzione | |
|
Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF332 prodotto da: |
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF330, IRF333, IRF331, |
Scarica IRF332 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
|
MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF332 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 213 kb |
|
4.5A e 5.5A, 350V e 400V, 1.0 e 1.5 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Scarica IRF332 datasheet de Intersil |
pdf 63 kb |
|
MOSFETs/5.Ä/350 V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF731, IRF733, IRF330-333, IRF732, |
Scarica IRF332 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
IRF3315STRR | Vista IRF332 al nostro catalogo | IRF333 |