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Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF332, IRF330, IRF331, 		Scarica IRF333 datasheet de
Samsung Electronic		 pdf
213 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorMOSFETs/5.Ä/350 V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF731, IRF733, IRF330-333, IRF732, 		Scarica IRF333 datasheet de
Fairchild Semiconductor		 pdf
182 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. Scarica IRF333 datasheet de
General Electric Solid State		 pdf
167 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil4.5A e 5.5A, 350V e 400V, 1.0 e 1.5 Ohm, N-Channel Power MOSFET Scarica IRF333 datasheet de
Intersil		 pdf
63 kb
IRF332Vista IRF333 al nostro catalogoIRF340



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