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Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF352 prodotto da: |
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 13A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF350, IRF351, IRF353, |
Scarica IRF352 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
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MOSFETs/1Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF350-353, |
Scarica IRF352 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 122 kb |
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MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF352 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 217 kb |
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13.0A e 15.0A, 350 e 400V, 0.300 e 0.400 ohm, Avalanche nominale *, N-Channel Power MOSFET FN1826.2 | Scarica IRF352 datasheet de Intersil |
pdf 65 kb |
IRF3515STRR | Vista IRF352 al nostro catalogo | IRF353 |