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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalitÓ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 13A.

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF350, IRF351, IRF353,
Scarica IRF352 datasheet de
General Electric Solid State
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197 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorMOSFETs/1─/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF350-353,
Scarica IRF352 datasheet de
Fairchild Semiconductor
pdf
122 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF352 datasheet de
Samsung Electronic
pdf
217 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil13.0A e 15.0A, 350 e 400V, 0.300 e 0.400 ohm, Avalanche nominale *, N-Channel Power MOSFET FN1826.2 Scarica IRF352 datasheet de
Intersil
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65 kb
IRF3515STRRVista IRF352 al nostro catalogoIRF353



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