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IRF430 prodotto da: |
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF431, IRF433, IRF432, |
Scarica IRF430 datasheet de General Electric Solid State |
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Alimentazione A MOSFETs/4,5/450V/500v Della N-Scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF833, IRF831, IRF832, IRF430-433, |
Scarica IRF430 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 146 kb |
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MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF430 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
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Mosfet Di Alimentazione 500V/Di 4.Ä/1,500 Ohm/N-Scanalatura | Scarica IRF430 datasheet de Intersil |
pdf 61 kb |
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500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: JANTX2N6762, JANTXV2N6762, 2N6762, |
Scarica IRF430 datasheet de International Rectifier |
pdf 151 kb |
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Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF430 datasheet de SemeLAB |
pdf 27 kb |
IRF423 | Vista IRF430 al nostro catalogo | IRF430-433 |