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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.5A.

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General Electric Solid State		 pdf
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Osservare tutti i fogli di dati per Supertex IncFETs Verticali Di Alimentazione Di Aumento-Modo DMOS Della N-Scanalatura Scarica IRF513 datasheet de
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Osservare tutti i fogli di dati per Harris SemiconductorMOSFET di potenza a canale N, 80V, 4.9A Scarica IRF513 datasheet de
Harris Semiconductor		 pdf
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Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorAlimentazione A MOSFETs/5,5/60-100V Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF510-513, 		Scarica IRF513 datasheet de
Fairchild Semiconductor		 pdf
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IRF512Vista IRF513 al nostro catalogoIRF520



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