|
| Home | Tutti i fornitori | Dalla funzione | |
|
Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF530 prodotto da: |
N-Channel Aumento-Modo Silicon Cancello | Scarica IRF530 datasheet de ON Semiconductor |
PDF 188 kb |
|
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 14A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF531, IRF532, IRF533, |
Scarica IRF530 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 168 kb |
|
100 V, potenza transistor ad effetto di campo | Scarica IRF530 datasheet de TRANSYS Electronics Limited |
pdf 463 kb |
|
TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS | Scarica IRF530 datasheet de Motorola |
pdf 163 kb |
|
100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF530PBF, |
Scarica IRF530 datasheet de International Rectifier |
pdf 181 kb |
|
MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF530 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 358 kb |
|
TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF530FI, |
Scarica IRF530 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 52 kb |
|
N-scanalatura 100V - 0,115 OHM - Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET II del CANCELLO Di 1Â To-220 | Scarica IRF530 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 281 kb |
|
PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura | Scarica IRF530 datasheet de TRSYS |
pdf 462 kb |
|
N - TRANSISTORE Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | Scarica IRF530 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 52 kb |
|
1Â, 100V, 0,160 Ohm, MOSFETs Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Scarica IRF530 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 77 kb |
IRF523 | Vista IRF530 al nostro catalogo | IRF530-D |