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Osservare tutti i fogli di dati per SGS Thomson MicroelectronicsMOSFET a canale N, 400V, 2.8A

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IRF721F1, IRF721, IRF722F1, IRF723, IRF720F1, 		Scarica IRF722 datasheet de
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Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorAlimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 V

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IRF322, IRF320-323, IRF321, IRF320, IRF323, 		Scarica IRF722 datasheet de
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Osservare tutti i fogli di dati per International RectifierN-scanalatura dei TRANSISTORI Scarica IRF722 datasheet de
International Rectifier		 pdf
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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A.

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IRF721F1Vista IRF722 al nostro catalogoIRF7220



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