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Osservare tutti i fogli di dati per SGS Thomson MicroelectronicsMOSFET a canale N, 450V, 2.2A

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IRF821, IRF821FI, IRF823FI,
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SGS Thomson Microelectronics
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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.0A.

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF820, IRF822,
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General Electric Solid State
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Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorAlimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V

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IRF420, IRF423, IRF422, IRF421, IRF420-423,
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Fairchild Semiconductor
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Osservare tutti i fogli di dati per MotorolaPorta al silicio Di Aumento-Modo Della N-scanalatura TMOS Scarica IRF823 datasheet de
Motorola
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146 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF823 datasheet de
Samsung Electronic
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IRF822FIVista IRF823 al nostro catalogoIRF823FI



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