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IRF830 prodotto da: |
MOSFET DI ALIMENTAZIONE | Scarica IRF830 datasheet de BayLinear |
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L'energia della valanga del transistore di PowerMOS ha valutato | Scarica IRF830 datasheet de Philips |
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Potenza Field Effect Transistor | Scarica IRF830 datasheet de ON Semiconductor |
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500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF830PBF, |
Scarica IRF830 datasheet de International Rectifier |
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4.Ä, 500V, 1,500 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Scarica IRF830 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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500 V, potenza transistor ad effetto di campo | Scarica IRF830 datasheet de TRANSYS Electronics Limited |
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Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF831, IRF832, IRF833, |
Scarica IRF830 datasheet de General Electric Solid State |
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N - MANICA 500V - 1.35W - 4.Ä - Mosfet Di To-220 PowerMESH | Scarica IRF830 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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N-scanalatura 500V - 1,35 OHM - 4.Ä - Mosfet Di To-220 POWERMESH | Scarica IRF830 datasheet de ST Microelectronics |
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Mosfet Di Alimentazione 500V/Di 4.Ä/1,500 Ohm/N-Scanalatura | Scarica IRF830 datasheet de Intersil |
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MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | Scarica IRF830 datasheet de TRSYS |
pdf 273 kb |
IRF82FI | Vista IRF830 al nostro catalogo | IRF830-D |