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Osservare tutti i fogli di dati per BayLinearMOSFET DI ALIMENTAZIONE Scarica IRF830 datasheet de
BayLinear
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Osservare tutti i fogli di dati per PhilipsL'energia della valanga del transistore di PowerMOS ha valutato Scarica IRF830 datasheet de
Philips
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Osservare tutti i fogli di dati per ON SemiconductorPotenza Field Effect Transistor Scarica IRF830 datasheet de
ON Semiconductor
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115 kb
Osservare tutti i fogli di dati per International Rectifier500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF830PBF,
Scarica IRF830 datasheet de
International Rectifier
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Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild Semiconductor4.Ä, 500V, 1,500 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura Scarica IRF830 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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99 kb
Osservare tutti i fogli di dati per TRANSYS Electronics Limited500 V, potenza transistor ad effetto di campo Scarica IRF830 datasheet de
TRANSYS Electronics Limited
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274 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A.

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF831, IRF832, IRF833,
Scarica IRF830 datasheet de
General Electric Solid State
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169 kb
Osservare tutti i fogli di dati per SGS Thomson MicroelectronicsN - MANICA 500V - 1.35W - 4.Ä - Mosfet Di To-220 PowerMESH Scarica IRF830 datasheet de
SGS Thomson Microelectronics
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97 kb
Osservare tutti i fogli di dati per ST MicroelectronicsN-scanalatura 500V - 1,35 OHM - 4.Ä - Mosfet Di To-220 POWERMESH Scarica IRF830 datasheet de
ST Microelectronics
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270 kb
Osservare tutti i fogli di dati per IntersilMosfet Di Alimentazione 500V/Di 4.Ä/1,500 Ohm/N-Scanalatura Scarica IRF830 datasheet de
Intersil
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60 kb
Osservare tutti i fogli di dati per TRSYSMODO di AUMENTO Della N-scanalatura Scarica IRF830 datasheet de
TRSYS
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273 kb
IRF82FIVista IRF830 al nostro catalogoIRF830-D



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