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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A.

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Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorAlimentazione A MOSFETs/4,5/450V/500v Della N-Scanalatura

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IRF433, IRF430, IRF430-433, IRF431, IRF432, 		Scarica IRF832 datasheet de
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