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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
701IRFD112Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo.General Electric Solid State
702IRFD113Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo.General Electric Solid State
703IRFF110Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 3.5A corrente.General Electric Solid State
704IRFF111Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 3.5A corrente.General Electric Solid State
705IRFF112Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 3.0A corrente.General Electric Solid State
706IRFF113Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 3.0A corrente.General Electric Solid State
707IRFF120Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 6.0A corrente.General Electric Solid State
708IRFF121Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 50V. Scarico in continuo 6.0A corrente.General Electric Solid State
709IRFF122Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 5.0A corrente.General Electric Solid State
710IRFF123Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 5.0A corrente.General Electric Solid State
711IRFF130Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 8.0A corrente.General Electric Solid State
712IRFF131Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 8.0A corrente.General Electric Solid State
713IRFF132Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 7.0A corrente.General Electric Solid State
714IRFF133Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 7.0A corrente.General Electric Solid State
715IRFF310Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 400 V.General Electric Solid State
716IRFF311Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 350 V.General Electric Solid State
717IRFF312Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 400 V.General Electric Solid State
718IRFF313Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 350 V.General Electric Solid State
719MCA230Photon accoppiato isolatore. GaAs che emettono raggi infrarossi diodo e NPN Darlington silicio collegati foto-transistor.General Electric Solid State
720MCA231Photon accoppiato isolatore. GaAs che emettono raggi infrarossi diodo e NPN Darlington silicio collegati foto-transistor.General Electric Solid State
721MCA235Photon accoppiato isolatore. GaAs che emettono raggi infrarossi diodo e NPN Darlington silicio collegati foto-transistor.General Electric Solid State
722MCS21IL FOTONE COPPIA L'CIsolanteGeneral Electric Solid State
723MCS21IL FOTONE COPPIA L'CIsolanteGeneral Electric Solid State
724MCS2400Photon accoppiato isolatore. GaAs infrarossi emitting diode e luce attivati ??SCR.General Electric Solid State
725MCS2401IL FOTONE COPPIA L'CIsolanteGeneral Electric Solid State
726MCS2401IL FOTONE COPPIA L'CIsolanteGeneral Electric Solid State



727MCT210Photon accoppiato isolatore. GaAs che emettono raggi infrarossi diodo e NPN al silicio foto-transistor.General Electric Solid State
728MJ15001Silicone NPN transistor di potenza. 140V, 200W.General Electric Solid State
729MJ15002Silicone PNP transistor di potenza. -140V, 200W.General Electric Solid State
730MJ15003Epitassiale del silicone NPN-base di transistor ad alta potenza. 140V, 250W.General Electric Solid State
731MJ15004Epitassiale del silicone PNP-base transistor ad alta potenza. -140V, 250W.General Electric Solid State
732MJ15022Epitassiale del silicone NPN-base di transistor ad alta potenza.General Electric Solid State
733MJ15024Epitassiale del silicone NPN-base di transistor ad alta potenza.General Electric Solid State
734MJ160105 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.General Electric Solid State
735MJ160125 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.General Electric Solid State
736MJ2955Epitassiale del silicone PNP-base transistor ad alta potenza. 100V, 150W.General Electric Solid State
737MJE160025 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.General Electric Solid State
738MJE160045 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.General Electric Solid State
739MJH60105 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.General Electric Solid State
740MJH60125 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.General Electric Solid State
741MM551HInterruttore Analog Ad alta tensione Di Alta AffidabilitąGeneral Electric Solid State
742MOC3009Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.General Electric Solid State
743MOC3010Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.General Electric Solid State
744MOC3011Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.General Electric Solid State
745MOC3012Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.General Electric Solid State
746MOC3020Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.General Electric Solid State
747MOC3021Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.General Electric Solid State
748MOC3022Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.General Electric Solid State
749MOC3023Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.General Electric Solid State
750MPS-A12TRANSISTORI DEL SILICONE DARLINGTONGeneral Electric Solid State

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