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Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:

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Datasheets ha trovato :: 1013

Nr.	Nome della parte	Descrizione	Fabbricatore
701	IRFD112	Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo.	General Electric Solid State
702	IRFD113	Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo.	General Electric Solid State
703	IRFF110	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 3.5A corrente.	General Electric Solid State
704	IRFF111	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 3.5A corrente.	General Electric Solid State
705	IRFF112	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 3.0A corrente.	General Electric Solid State
706	IRFF113	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 3.0A corrente.	General Electric Solid State
707	IRFF120	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 6.0A corrente.	General Electric Solid State
708	IRFF121	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 50V. Scarico in continuo 6.0A corrente.	General Electric Solid State
709	IRFF122	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 5.0A corrente.	General Electric Solid State
710	IRFF123	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 5.0A corrente.	General Electric Solid State
711	IRFF130	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 8.0A corrente.	General Electric Solid State
712	IRFF131	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 8.0A corrente.	General Electric Solid State
713	IRFF132	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 7.0A corrente.	General Electric Solid State
714	IRFF133	Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 7.0A corrente.	General Electric Solid State
715	IRFF310	Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 400 V.	General Electric Solid State
716	IRFF311	Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 350 V.	General Electric Solid State
717	IRFF312	Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 400 V.	General Electric Solid State
718	IRFF313	Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 350 V.	General Electric Solid State
719	MCA230	Photon accoppiato isolatore. GaAs che emettono raggi infrarossi diodo e NPN Darlington silicio collegati foto-transistor.	General Electric Solid State
720	MCA231	Photon accoppiato isolatore. GaAs che emettono raggi infrarossi diodo e NPN Darlington silicio collegati foto-transistor.	General Electric Solid State
721	MCA235	Photon accoppiato isolatore. GaAs che emettono raggi infrarossi diodo e NPN Darlington silicio collegati foto-transistor.	General Electric Solid State
722	MCS21	IL FOTONE COPPIA L'CIsolante	General Electric Solid State
723	MCS21	IL FOTONE COPPIA L'CIsolante	General Electric Solid State
724	MCS2400	Photon accoppiato isolatore. GaAs infrarossi emitting diode e luce attivati ??SCR.	General Electric Solid State
725	MCS2401	IL FOTONE COPPIA L'CIsolante	General Electric Solid State
726	MCS2401	IL FOTONE COPPIA L'CIsolante	General Electric Solid State

727	MCT210	Photon accoppiato isolatore. GaAs che emettono raggi infrarossi diodo e NPN al silicio foto-transistor.	General Electric Solid State
728	MJ15001	Silicone NPN transistor di potenza. 140V, 200W.	General Electric Solid State
729	MJ15002	Silicone PNP transistor di potenza. -140V, 200W.	General Electric Solid State
730	MJ15003	Epitassiale del silicone NPN-base di transistor ad alta potenza. 140V, 250W.	General Electric Solid State
731	MJ15004	Epitassiale del silicone PNP-base transistor ad alta potenza. -140V, 250W.	General Electric Solid State
732	MJ15022	Epitassiale del silicone NPN-base di transistor ad alta potenza.	General Electric Solid State
733	MJ15024	Epitassiale del silicone NPN-base di transistor ad alta potenza.	General Electric Solid State
734	MJ16010	5 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.	General Electric Solid State
735	MJ16012	5 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.	General Electric Solid State
736	MJ2955	Epitassiale del silicone PNP-base transistor ad alta potenza. 100V, 150W.	General Electric Solid State
737	MJE16002	5 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.	General Electric Solid State
738	MJE16004	5 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.	General Electric Solid State
739	MJH6010	5 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.	General Electric Solid State
740	MJH6012	5 transistor di potenza A SwitchMax II. Ad alta tensione di tipo NPN.	General Electric Solid State
741	MM551H	Interruttore Analog Ad alta tensione Di Alta Affidabilità	General Electric Solid State
742	MOC3009	Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.	General Electric Solid State
743	MOC3010	Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.	General Electric Solid State
744	MOC3011	Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.	General Electric Solid State
745	MOC3012	Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.	General Electric Solid State
746	MOC3020	Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.	General Electric Solid State
747	MOC3021	Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.	General Electric Solid State
748	MOC3022	Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.	General Electric Solid State
749	MOC3023	Photon accoppiato isolatore. Ga Come infrarossi diodo ad emissione di luce e attivato il driver triac.	General Electric Solid State
750	MPS-A12	TRANSISTORI DEL SILICONE DARLINGTON	General Electric Solid State

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