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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
512N366912.5A raddrizzatore controllato al silicio. VRM (non-rep) 330V.General Electric Solid State
522N367012.5A raddrizzatore controllato al silicio. VRM (non-rep) 660V.General Electric Solid State
532N3773Alta tensione, alta transistor di potenza. 160V, 150W.General Electric Solid State
542N3791Epitassiale del silicone PNP-base di transistor ad alta potenza. -60V, 150W.General Electric Solid State
552N3792Epitassiale del silicone PNP-base di transistor ad alta potenza. -80V, 150W.General Electric Solid State
562N3858TRANSISTORI DEL SILICONEGeneral Electric Solid State
572N3858TRANSISTORI DEL SILICONEGeneral Electric Solid State
582N3858-60TRANSISTORI DEL SILICONEGeneral Electric Solid State
592N3858-60TRANSISTORI DEL SILICONEGeneral Electric Solid State
602N3858ATRANSISTORI DEL SILICONEGeneral Electric Solid State
612N3858ATRANSISTORI DEL SILICONEGeneral Electric Solid State
622N3859Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 30V, 100mA.General Electric Solid State
632N3859APlanar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 60V, 100mA.General Electric Solid State
642N3860Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 30V, 100mA.General Electric Solid State
652N387035A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 150V.General Electric Solid State
662N387135A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 330V.General Electric Solid State
672N387235A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 660V.General Electric Solid State
682N387335A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 700V.General Electric Solid State
692N3878TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITŔ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTOREGeneral Electric Solid State
702N3878TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITŔ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTOREGeneral Electric Solid State
712N3879Alta velocitŕ, epitassiale di silicio collettore del transistor NPN planare.General Electric Solid State
722N389635A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 150V.General Electric Solid State
732N389735A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 330V.General Electric Solid State
742N389835A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 660V.General Electric Solid State
752N389935A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 700V.General Electric Solid State
762N3903Planar epitassiale NPN transistor al silicio. 40V, 200mA.General Electric Solid State
772N3904Planar epitassiale NPN transistor al silicio. 40V, 200mA.General Electric Solid State



782N3905Planar epitassiale PNP transistor al silicio. -40V, 200mA.General Electric Solid State
792N3906Planar epitassiale PNP transistor al silicio. -40V, 200mA.General Electric Solid State
802N4036Media Silicon Power NPN transistor planare.General Electric Solid State
812N4037Media Silicon Power NPN transistor planare.General Electric Solid State
822N4063Ad alta tensione in silicone NPN transistor planare.General Electric Solid State
832N4064Ad alta tensione in silicone NPN transistor planare.General Electric Solid State
842N4101RADDRIZZATORI CONTROLLATI DEL SILICONE 5-AGeneral Electric Solid State
852N4101RADDRIZZATORI CONTROLLATI DEL SILICONE 5-AGeneral Electric Solid State
862N410312.5A raddrizzatore controllato al silicio. VRM (non-rep) 700V.General Electric Solid State
872N4123Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 30V, 200mA.General Electric Solid State
882N4124Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 25V, 200mA.General Electric Solid State
892N4125Planar epitassiale passivato PNP transistor al silicio. -30V, 200mA.General Electric Solid State
902N4126Planar epitassiale passivato PNP transistor al silicio. -25 V, 200mA.General Electric Solid State
912N4240Ad alta tensione di silicio transistor NPN.General Electric Solid State
922N4314Media Silicon Power NPN transistor planare.General Electric Solid State
932N4347Silicio ad alta tensione a transistor NPN. 140V, 100W.General Electric Solid State
942N4348ALTA TENSIONE, TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE CORRENTI ALTIGeneral Electric Solid State
952N4348ALTA TENSIONE, TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE CORRENTI ALTIGeneral Electric Solid State
962N4400Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 40V, 600mA.General Electric Solid State
972N4401Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 40V, 600mA.General Electric Solid State
982N4402Planar epitassiale passivato PNP transistor al silicio. -40V, -600mA.General Electric Solid State
992N4403Planar epitassiale passivato PNP transistor al silicio. -40V, -600mA.General Electric Solid State
1002N4424Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 40V, 500mA.General Electric Solid State

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