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Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:

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Datasheets ha trovato :: 1013

Nr.	Nome della parte	Descrizione	Fabbricatore
51	2N3669	12.5A raddrizzatore controllato al silicio. VRM (non-rep) 330V.	General Electric Solid State
52	2N3670	12.5A raddrizzatore controllato al silicio. VRM (non-rep) 660V.	General Electric Solid State
53	2N3773	Alta tensione, alta transistor di potenza. 160V, 150W.	General Electric Solid State
54	2N3791	Epitassiale del silicone PNP-base di transistor ad alta potenza. -60V, 150W.	General Electric Solid State
55	2N3792	Epitassiale del silicone PNP-base di transistor ad alta potenza. -80V, 150W.	General Electric Solid State
56	2N3858	TRANSISTORI DEL SILICONE	General Electric Solid State
57	2N3858	TRANSISTORI DEL SILICONE	General Electric Solid State
58	2N3858-60	TRANSISTORI DEL SILICONE	General Electric Solid State
59	2N3858-60	TRANSISTORI DEL SILICONE	General Electric Solid State
60	2N3858A	TRANSISTORI DEL SILICONE	General Electric Solid State
61	2N3858A	TRANSISTORI DEL SILICONE	General Electric Solid State
62	2N3859	Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 30V, 100mA.	General Electric Solid State
63	2N3859A	Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 60V, 100mA.	General Electric Solid State
64	2N3860	Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 30V, 100mA.	General Electric Solid State
65	2N3870	35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 150V.	General Electric Solid State
66	2N3871	35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 330V.	General Electric Solid State
67	2N3872	35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 660V.	General Electric Solid State
68	2N3873	35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 700V.	General Electric Solid State
69	2N3878	TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITÀ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTORE	General Electric Solid State
70	2N3878	TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITÀ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTORE	General Electric Solid State
71	2N3879	Alta velocità, epitassiale di silicio collettore del transistor NPN planare.	General Electric Solid State
72	2N3896	35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 150V.	General Electric Solid State
73	2N3897	35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 330V.	General Electric Solid State
74	2N3898	35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 660V.	General Electric Solid State
75	2N3899	35A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom (non-rep) 700V.	General Electric Solid State
76	2N3903	Planar epitassiale NPN transistor al silicio. 40V, 200mA.	General Electric Solid State
77	2N3904	Planar epitassiale NPN transistor al silicio. 40V, 200mA.	General Electric Solid State

78	2N3905	Planar epitassiale PNP transistor al silicio. -40V, 200mA.	General Electric Solid State
79	2N3906	Planar epitassiale PNP transistor al silicio. -40V, 200mA.	General Electric Solid State
80	2N4036	Media Silicon Power NPN transistor planare.	General Electric Solid State
81	2N4037	Media Silicon Power NPN transistor planare.	General Electric Solid State
82	2N4063	Ad alta tensione in silicone NPN transistor planare.	General Electric Solid State
83	2N4064	Ad alta tensione in silicone NPN transistor planare.	General Electric Solid State
84	2N4101	RADDRIZZATORI CONTROLLATI DEL SILICONE 5-A	General Electric Solid State
85	2N4101	RADDRIZZATORI CONTROLLATI DEL SILICONE 5-A	General Electric Solid State
86	2N4103	12.5A raddrizzatore controllato al silicio. VRM (non-rep) 700V.	General Electric Solid State
87	2N4123	Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 30V, 200mA.	General Electric Solid State
88	2N4124	Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 25V, 200mA.	General Electric Solid State
89	2N4125	Planar epitassiale passivato PNP transistor al silicio. -30V, 200mA.	General Electric Solid State
90	2N4126	Planar epitassiale passivato PNP transistor al silicio. -25 V, 200mA.	General Electric Solid State
91	2N4240	Ad alta tensione di silicio transistor NPN.	General Electric Solid State
92	2N4314	Media Silicon Power NPN transistor planare.	General Electric Solid State
93	2N4347	Silicio ad alta tensione a transistor NPN. 140V, 100W.	General Electric Solid State
94	2N4348	ALTA TENSIONE, TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE CORRENTI ALTI	General Electric Solid State
95	2N4348	ALTA TENSIONE, TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE CORRENTI ALTI	General Electric Solid State
96	2N4400	Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 40V, 600mA.	General Electric Solid State
97	2N4401	Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 40V, 600mA.	General Electric Solid State
98	2N4402	Planar epitassiale passivato PNP transistor al silicio. -40V, -600mA.	General Electric Solid State
99	2N4403	Planar epitassiale passivato PNP transistor al silicio. -40V, -600mA.	General Electric Solid State
100	2N4424	Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 40V, 500mA.	General Electric Solid State

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