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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
2012N605712A NPN transistor di potenza darlington monolitico.General Electric Solid State
2022N605812A NPN transistor di potenza darlington monolitico.General Electric Solid State
2032N605912A NPN transistor di potenza darlington monolitico.General Electric Solid State
2042N6076PNP transistor al silicio. 25V, 100mA.General Electric Solid State
2052N6077Ad alta tensione, ad alta potenza di silicio transistor NPN.General Electric Solid State
2062N6078Ad alta tensione, ad alta potenza di silicio transistor NPN.General Electric Solid State
2072N6079Ad alta tensione, ad alta potenza di silicio transistor NPN.General Electric Solid State
2082N6106Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -80V.General Electric Solid State
2092N6107Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -80V.General Electric Solid State
2102N6108Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -60V.General Electric Solid State
2112N6109Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -60V.General Electric Solid State
2122N6110Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -40V.General Electric Solid State
2132N6111Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -40V.General Electric Solid State
2142N6121Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 45V.General Electric Solid State
2152N6122Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 60V.General Electric Solid State
2162N6123Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 80V.General Electric Solid State
2172N6124Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -45V.General Electric Solid State
2182N6125Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -60V.General Electric Solid State
2192N6126Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -80V.General Electric Solid State
2202N6211Ad alta tensione, media potenza transistor PNP silicio.General Electric Solid State
2212N6212Ad alta tensione, media potenza transistor PNP silicio.General Electric Solid State
2222N6213Ad alta tensione, media potenza transistor PNP silicio.General Electric Solid State
2232N6214Ad alta tensione, media potenza transistor PNP silicio.General Electric Solid State
2242N6246Epitassiale-base, PNP transistor al silicio ad alta potenza. -70V, 125W.General Electric Solid State
2252N6247Epitassiale-base, PNP transistor al silicio ad alta potenza. -90V, 125W.General Electric Solid State
2262N6248Epitassiale-base, PNP transistor al silicio ad alta potenza. -110V, 125W.General Electric Solid State
2272N6249300V, 30A, 175W silicio NPN switcing transistor.General Electric Solid State



2282N6250375V, 30A, 175W silicio NPN switcing transistor.General Electric Solid State
2292N6251450V, 30A, 175W silicio NPN switcing transistor.General Electric Solid State
2302N6253Ad alta potenza di silicio transistor NPN. 55V, 115W.General Electric Solid State
2312N6254Ad alta potenza di silicio transistor NPN. 100V, 150W.General Electric Solid State
2322N6259Alta tensione, alta transistor di potenza. 170V, 250W.General Electric Solid State
2332N6262Silicio ad alta tensione a transistor NPN. 170V, 150W.General Electric Solid State
2342N6263Media Silicon Power transistor NPN. 140V, 20W.General Electric Solid State
2352N6264Media Silicon Power transistor NPN. 170V, 50W.General Electric Solid State
2362N628220 A complementare NPN e PNP transistor di potenza darlington monolitico. Voto 60 V (min) ad alta tensione. 160 W.General Electric Solid State
2372N628320 A complementare NPN e PNP transistor di potenza darlington monolitico. Voto 80 V (min) ad alta tensione. 160 W.General Electric Solid State
2382N628420 A complementare NPN e PNP transistor di potenza darlington monolitico. Voto ad alta tensione 100 V (min). 160 W.General Electric Solid State
2392N628520 A complementare NPN e PNP transistor di potenza darlington monolitico. Voto 60 V (min) ad alta tensione. 160 W.General Electric Solid State
2402N628620 A complementare NPN e PNP transistor di potenza darlington monolitico. Voto 80 V (min) ad alta tensione. 160 W.General Electric Solid State
2412N628720 A complementare NPN e PNP transistor di potenza darlington monolitico. Voto ad alta tensione 100 V (min). 160 W.General Electric Solid State
2422N6288Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 40V.General Electric Solid State
2432N6289Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 40V.General Electric Solid State
2442N6290Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 60V.General Electric Solid State
2452N6291Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 60V.General Electric Solid State
2462N6292Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 80V.General Electric Solid State
2472N6293Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 80V.General Electric Solid State
2482N6342A12-A triac silicio. 200 V.General Electric Solid State
2492N6343A12-A triac silicio. 400 V.General Electric Solid State
2502N6344A12-A triac silicio. 600 V.General Electric Solid State

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