|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1013 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versăo portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
2512N6345A12-A triac silicio. 800 V.General Electric Solid State
2522N6346A12-A triac silicio. 200 V.General Electric Solid State
2532N6347A12-A triac silicio. 400 V.General Electric Solid State
2542N6348A12-A triac silicio. 600 V.General Electric Solid State
2552N6349A12-A triac silicio. 800 V.General Electric Solid State
2562N6354120V, 10A, 140W silicio NPN transistor planare.General Electric Solid State
2572N6371Ad alta potenza di silicio transistor NPN. 50V, 117W.General Electric Solid State
2582N638310 A NPN Darlington transistor di potenza. 40 V. 100 W. guadagno di 1000 a 5 A.General Electric Solid State
2592N638410 A NPN Darlington transistor di potenza. 60 V. 100 W. guadagno 1000 a 5 A.General Electric Solid State
2602N638510 A NPN Darlington transistor di potenza. 80 V. 100 W. guadagno di 1000 a 5 A.General Electric Solid State
2612N638610 A NPN Darlington transistor di potenza. 40 V. 65 W. guadagno di 1000 a 3 A.General Electric Solid State
2622N638710 A NPN Darlington transistor di potenza. 60 V. 65 W. guadagno 1000 a 5 A.General Electric Solid State
2632N638810 A NPN Darlington transistor di potenza. 80 V. 65 W. guadagno 1000 a 5 A.General Electric Solid State
2642N639412A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 75V.General Electric Solid State
2652N639512A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 125V.General Electric Solid State
2662N639612A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 250V.General Electric Solid State
2672N639712A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 450V.General Electric Solid State
2682N639812A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 650V.General Electric Solid State
2692N640016A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 75V.General Electric Solid State
2702N640116A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 125V.General Electric Solid State
2712N640216A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 250V.General Electric Solid State
2722N640316A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 450V.General Electric Solid State
2732N640416A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 650V.General Electric Solid State
2742N6420Ad alta tensione, media potenza transistor PNP silicio.General Electric Solid State
2752N6421Ad alta tensione, media potenza transistor PNP silicio.General Electric Solid State
2762N6422Ad alta tensione, media potenza transistor PNP silicio.General Electric Solid State
2772N6423Ad alta tensione, media potenza transistor PNP silicio.General Electric Solid State



2782N6467Silicone PNP transistor di media potenza. -110V, 40W.General Electric Solid State
2792N6468Silicone PNP transistor di media potenza. -130V, 40W.General Electric Solid State
2802N6469Epitassiale-base, PNP transistor al silicio ad alta potenza. -50V, 125W.General Electric Solid State
2812N6473Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 110V.General Electric Solid State
2822N6474Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 130V.General Electric Solid State
2832N6475Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -110V.General Electric Solid State
2842N6476Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -130V.General Electric Solid State
2852N6477TRANSISTORI MEDI DEL SILICONE NPN DI ALIMENTAZIONEGeneral Electric Solid State
2862N6477TRANSISTORI MEDI DEL SILICONE NPN DI ALIMENTAZIONEGeneral Electric Solid State
2872N6478TRANSISTORI MEDI DEL SILICONE NPN DI ALIMENTAZIONEGeneral Electric Solid State
2882N6478TRANSISTORI MEDI DEL SILICONE NPN DI ALIMENTAZIONEGeneral Electric Solid State
2892N648615A, 75W, silicio epitassiale transistor NPN-base VERSAWATT. 50V.General Electric Solid State
2902N648715A, 75W, silicio epitassiale transistor NPN-base VERSAWATT. 70V.General Electric Solid State
2912N648815A, 75W, silicio epitassiale transistor NPN-base VERSAWATT. 90V.General Electric Solid State
2922N648915A, 75W, PNP silicio epitassiale-base transistor VERSAWATT. -50V.General Electric Solid State
2932N649015A, 75W, PNP silicio epitassiale-base transistor VERSAWATT. -70V.General Electric Solid State
2942N649115A, 75W, PNP silicio epitassiale-base transistor VERSAWATT. -90V.General Electric Solid State
2952N6496Alta corrente, alta potenza, alta velocitŕ di transistor al silicio NPN planare.General Electric Solid State
2962N6500TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITŔ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTOREGeneral Electric Solid State
2972N6500TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITŔ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTOREGeneral Electric Solid State
2982N65308 transistor di potenza Un NPN Darlington. 80 V. 60 W. guadagno di 1000 a 5 A.General Electric Solid State
2992N65318 transistor di potenza Un NPN Darlington. 100 V. 60 W. guadagno di 500 a 3 A.General Electric Solid State
3002N65328 transistor di potenza Un NPN Darlington. 100 V. 60 W. guadagno 1000 a 5 A.General Electric Solid State

Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |


© 2018    www.datasheetcatalog.net/it/generalelectricsolidstate/1/