|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1013 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versăo portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
3512N68725A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 400V.General Electric Solid State
3522N68825A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 500V.General Electric Solid State
3532N68925A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 600V.General Electric Solid State
3542N69025A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 720V.General Electric Solid State
3552N69125A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 840V.General Electric Solid State
3562N69225A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 960V.General Electric Solid State
3572N697Silicone NPN transistor planare.General Electric Solid State
3583N128Transistore del MOS Del SiliconeGeneral Electric Solid State
3593N142TRANSISTORE DI EFFETTO ISOLATO SILICONE DEL GIACIMENTO DEL CANCELLOGeneral Electric Solid State
3603N142TRANSISTORE DI EFFETTO ISOLATO SILICONE DEL GIACIMENTO DEL CANCELLOGeneral Electric Solid State
3613N143Transistore del MOS Del SiliconeGeneral Electric Solid State
3623N143Transistore del MOS Del SiliconeGeneral Electric Solid State
3633N152MOS transistor al silicio.General Electric Solid State
3643N153TRANSISTORE DI EFFETTO ISOLATO SILICONE DEL GIACIMENTO DEL CANCELLOGeneral Electric Solid State
3653N153TRANSISTORE DI EFFETTO ISOLATO SILICONE DEL GIACIMENTO DEL CANCELLOGeneral Electric Solid State
3663N154TRANSISTORE DEL MOS DEL SILICONEGeneral Electric Solid State
3673N154TRANSISTORE DEL MOS DEL SILICONEGeneral Electric Solid State
3683N187Silicon dual gate isolata transistore ad effetto di campo.General Electric Solid State
3693N200Silicon dual gate isolata transistore ad effetto di campo.General Electric Solid State
3703N204Silicon dual gate isolata transistore ad effetto di campo.General Electric Solid State
3713N205Silicon dual gate isolata transistore ad effetto di campo.General Electric Solid State
3723N206Silicon dual gate isolata transistore ad effetto di campo.General Electric Solid State
37340346Di media potenza al silicio NPN transistor planare.General Electric Solid State
37440347Transistor al silicio NPN. 60V, 8.75W.General Electric Solid State
37540348Transistor al silicio NPN. 90V, 8.75W.General Electric Solid State
37640406Silicone PNP transistor di potenza. -50V.General Electric Solid State
37740407Silicone NPN transistor di potenza. 50V.General Electric Solid State



37840408Silicone NPN transistor di potenza. 90V.General Electric Solid State
37940411Silicone NPN transistor di potenza. 90V (Rbe 100Ohm).General Electric Solid State
38040412Di media potenza al silicio NPN transistor planare.General Electric Solid State
381BD142Silicone NPN transistor ad alta potenza. 50V, 117W.General Electric Solid State
382BD181Silicone NPN transistor ad alta potenza. 55V, 117W.General Electric Solid State
383BD182Silicone NPN transistor ad alta potenza. 70V, 117W.General Electric Solid State
384BD183Silicone NPN transistor ad alta potenza. 85V, 117W.General Electric Solid State
385BD201Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. 60V, 60W.General Electric Solid State
386BD202Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. -60V, 60W.General Electric Solid State
387BD203Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. 80V, 60W.General Electric Solid State
388BD204Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. -80V, 60W.General Electric Solid State
389BD239Transistor di potenza Pro elettroniGeneral Electric Solid State
390BD239ATransistor di potenza Pro elettroniGeneral Electric Solid State
391BD239BTransistor di potenza Pro elettroniGeneral Electric Solid State
392BD239CTransistor di potenza Pro elettroniGeneral Electric Solid State
393BD240Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -55V, 30W.General Electric Solid State
394BD240AEpitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -70V, 30W.General Electric Solid State
395BD240BEpitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -90V, 30W.General Electric Solid State
396BD240CEpitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -115V, 30W.General Electric Solid State
397BD241Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 55V, 40W.General Electric Solid State
398BD241AEpitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 70V, 40W.General Electric Solid State
399BD241BEpitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 90V, 40W.General Electric Solid State
400BD241CEpitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 115V, 40W.General Electric Solid State

Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |


© 2018    www.datasheetcatalog.net/it/generalelectricsolidstate/1/