Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
351 | 2N687 | 25A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 400V. | General Electric Solid State |
352 | 2N688 | 25A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 500V. | General Electric Solid State |
353 | 2N689 | 25A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 600V. | General Electric Solid State |
354 | 2N690 | 25A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 720V. | General Electric Solid State |
355 | 2N691 | 25A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 840V. | General Electric Solid State |
356 | 2N692 | 25A raddrizzatore controllato al silicio. Vrsom 960V. | General Electric Solid State |
357 | 2N697 | Silicone NPN transistor planare. | General Electric Solid State |
358 | 3N128 | Transistore del MOS Del Silicone | General Electric Solid State |
359 | 3N142 | TRANSISTORE DI EFFETTO ISOLATO SILICONE DEL GIACIMENTO DEL CANCELLO | General Electric Solid State |
360 | 3N142 | TRANSISTORE DI EFFETTO ISOLATO SILICONE DEL GIACIMENTO DEL CANCELLO | General Electric Solid State |
361 | 3N143 | Transistore del MOS Del Silicone | General Electric Solid State |
362 | 3N143 | Transistore del MOS Del Silicone | General Electric Solid State |
363 | 3N152 | MOS transistor al silicio. | General Electric Solid State |
364 | 3N153 | TRANSISTORE DI EFFETTO ISOLATO SILICONE DEL GIACIMENTO DEL CANCELLO | General Electric Solid State |
365 | 3N153 | TRANSISTORE DI EFFETTO ISOLATO SILICONE DEL GIACIMENTO DEL CANCELLO | General Electric Solid State |
366 | 3N154 | TRANSISTORE DEL MOS DEL SILICONE | General Electric Solid State |
367 | 3N154 | TRANSISTORE DEL MOS DEL SILICONE | General Electric Solid State |
368 | 3N187 | Silicon dual gate isolata transistore ad effetto di campo. | General Electric Solid State |
369 | 3N200 | Silicon dual gate isolata transistore ad effetto di campo. | General Electric Solid State |
370 | 3N204 | Silicon dual gate isolata transistore ad effetto di campo. | General Electric Solid State |
371 | 3N205 | Silicon dual gate isolata transistore ad effetto di campo. | General Electric Solid State |
372 | 3N206 | Silicon dual gate isolata transistore ad effetto di campo. | General Electric Solid State |
373 | 40346 | Di media potenza al silicio NPN transistor planare. | General Electric Solid State |
374 | 40347 | Transistor al silicio NPN. 60V, 8.75W. | General Electric Solid State |
375 | 40348 | Transistor al silicio NPN. 90V, 8.75W. | General Electric Solid State |
376 | 40406 | Silicone PNP transistor di potenza. -50V. | General Electric Solid State |
377 | 40407 | Silicone NPN transistor di potenza. 50V. | General Electric Solid State |
378 | 40408 | Silicone NPN transistor di potenza. 90V. | General Electric Solid State |
379 | 40411 | Silicone NPN transistor di potenza. 90V (Rbe 100Ohm). | General Electric Solid State |
380 | 40412 | Di media potenza al silicio NPN transistor planare. | General Electric Solid State |
381 | BD142 | Silicone NPN transistor ad alta potenza. 50V, 117W. | General Electric Solid State |
382 | BD181 | Silicone NPN transistor ad alta potenza. 55V, 117W. | General Electric Solid State |
383 | BD182 | Silicone NPN transistor ad alta potenza. 70V, 117W. | General Electric Solid State |
384 | BD183 | Silicone NPN transistor ad alta potenza. 85V, 117W. | General Electric Solid State |
385 | BD201 | Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. 60V, 60W. | General Electric Solid State |
386 | BD202 | Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. -60V, 60W. | General Electric Solid State |
387 | BD203 | Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. 80V, 60W. | General Electric Solid State |
388 | BD204 | Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. -80V, 60W. | General Electric Solid State |
389 | BD239 | Transistor di potenza Pro elettroni | General Electric Solid State |
390 | BD239A | Transistor di potenza Pro elettroni | General Electric Solid State |
391 | BD239B | Transistor di potenza Pro elettroni | General Electric Solid State |
392 | BD239C | Transistor di potenza Pro elettroni | General Electric Solid State |
393 | BD240 | Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -55V, 30W. | General Electric Solid State |
394 | BD240A | Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -70V, 30W. | General Electric Solid State |
395 | BD240B | Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -90V, 30W. | General Electric Solid State |
396 | BD240C | Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -115V, 30W. | General Electric Solid State |
397 | BD241 | Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 55V, 40W. | General Electric Solid State |
398 | BD241A | Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 70V, 40W. | General Electric Solid State |
399 | BD241B | Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 90V, 40W. | General Electric Solid State |
400 | BD241C | Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 115V, 40W. | General Electric Solid State |
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