|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1013 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versăo portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
401BD242Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -55V, 40W.General Electric Solid State
402BD242AEpitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -70V, 40W.General Electric Solid State
403BD242BEpitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -90V, 40W.General Electric Solid State
404BD242CEpitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -115V, 40W.General Electric Solid State
405BD243Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 55V, 65W.General Electric Solid State
406BD243AEpitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 70V, 65W.General Electric Solid State
407BD243BEpitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 90V, 65W.General Electric Solid State
408BD243CEpitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. Vcer 115V, 65W.General Electric Solid State
409BD244Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -55V, 65W.General Electric Solid State
410BD244AEpitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -70V, 65W.General Electric Solid State
411BD244BEpitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -90V, 65W.General Electric Solid State
412BD244CEpitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. Vcer -115V, 65W.General Electric Solid State
413BD277TRANSISTORI BASSI EPITASSIALI DEL SILICONE PNP VERSAWATT DI 7-A 70-WGeneral Electric Solid State
414BD277TRANSISTORI BASSI EPITASSIALI DEL SILICONE PNP VERSAWATT DI 7-A 70-WGeneral Electric Solid State
415BD533Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. 45V, 50W.General Electric Solid State
416BD534Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. -45V, 50W.General Electric Solid State
417BD535Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. 60V, 50W.General Electric Solid State
418BD536Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. -60V, 50W.General Electric Solid State
419BD537Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. 80V, 50W.General Electric Solid State
420BD538Epitassiale a base di silicio transistor PNP VERSAWATT. -80V, 50W.General Electric Solid State
421BD550TRANSISTORE DEL SILICONE PER QUASI - GLI AMPLIFICATORI AUDIO DI SIMMETRIA COMPLEMENTAREGeneral Electric Solid State
422BD550TRANSISTORE DEL SILICONE PER QUASI - GLI AMPLIFICATORI AUDIO DI SIMMETRIA COMPLEMENTAREGeneral Electric Solid State
423BD550BTRANSISTORE DEL SILICONE PER QUASI - GLI AMPLIFICATORI AUDIO DI SIMMETRIA COMPLEMENTAREGeneral Electric Solid State
424BD550BTRANSISTORE DEL SILICONE PER QUASI - GLI AMPLIFICATORI AUDIO DI SIMMETRIA COMPLEMENTAREGeneral Electric Solid State
425BD6438 transistor di potenza Un NPN Darlington. 45 V. 70 W. guadagno di 750 a 3 A.General Electric Solid State
426BD6458 transistor di potenza Un NPN Darlington. 60 V. 70 W. guadagno di 750 a 3 A.General Electric Solid State



427BD6478 transistor di potenza Un NPN Darlington. 80 V. 70 W. guadagno di 750 a 3 A.General Electric Solid State
428BD6498 transistor di potenza Un NPN Darlington. 100 V. 70 W. guadagno di 750 a 3 A.General Electric Solid State
429BD795Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 45V, 65W.General Electric Solid State
430BD796Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -45V, 65W.General Electric Solid State
431BD797Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 60V, 65W.General Electric Solid State
432BD798Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -60V, 65W.General Electric Solid State
433BD799Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 80V, 65W.General Electric Solid State
434BD800Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. -80V, 65W.General Electric Solid State
435BD801Epitassiale-base, il silicio transistor NPN VERSAWATT. 100V, 65W.General Electric Solid State
436BD802Epitassiale-base, il silicio transistor PNP VERSAWATT. 100V, 65W.General Electric Solid State
437BD8958 transistor di potenza Un NPN Darlington. 45 V. 70 W.General Electric Solid State
438BD895A8 transistor di potenza Un NPN Darlington. 45 V. 70 W.General Electric Solid State
439BD8978 transistor di potenza Un NPN Darlington. 60 V. 70 W.General Electric Solid State
440BD897A8 transistor di potenza Un NPN Darlington. 60 V. 70 W.General Electric Solid State
441BD8998 transistor di potenza Un NPN Darlington. 80 V. 70 W.General Electric Solid State
442BD899A8 transistor di potenza Un NPN Darlington. 80 V. 70 W.General Electric Solid State
443BD9018 transistor di potenza Un NPN Darlington. 100 V. 70 W.General Electric Solid State
444BDY29ALTO TRANSISTORE CORRENTE DI ALTA ALIMENTAZIONEGeneral Electric Solid State
445BDY29ALTO TRANSISTORE CORRENTE DI ALTA ALIMENTAZIONEGeneral Electric Solid State
446BTA22TRIAC DEL SILICONE 10-AGeneral Electric Solid State
447BTA22TRIAC DEL SILICONE 10-AGeneral Electric Solid State
448BTA22BTRIAC DEL SILICONE 10-AGeneral Electric Solid State
449BTA22BTRIAC DEL SILICONE 10-AGeneral Electric Solid State
450BTA22CTRIAC DEL SILICONE 10-AGeneral Electric Solid State

Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |


© 2018    www.datasheetcatalog.net/it/generalelectricsolidstate/1/