| Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 701 | HTL145 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 702 | HTL194 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 703 | HTL195 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 704 | HTL294D | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 705 | HTL294I | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 706 | HTL294J | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 707 | HTL294MD | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 708 | HTL294MI | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 709 | HTL294MJ | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 710 | HTL295D | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 711 | HTL295I | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 712 | HU603AL | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Del Livello Di Logica Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 713 | HXL1225 | SCR IGT DI TENSIONE 0.8cA 300,380<200uA> | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 714 | PN2907A | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 715 | TO-220AB | Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 716 | TO-220AB | Un Triac Dei Tre Quadranti | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 717 | TO-220FP | Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 718 | TO-263 | Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
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