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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
10601JANSG2N7261singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10602JANSG2N7261Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto del 18-perno LCCInternational Rectifier
10603JANSG2N7262singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10604JANSG2N7262Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto del 18-perno LCCInternational Rectifier
10605JANSG2N7268la singola N-Scanalatura TID di 100V 600kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10606JANSG2N7268Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10607JANSG2N7269singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10608JANSG2N7269Ula singola N-Scanalatura TID di 200V 600kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10609JANSG2N7270singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 500V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10610JANSG2N7380singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aaInternational Rectifier
10611JANSG2N7381singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aaInternational Rectifier
10612JANSG2N7394la singola N-Scanalatura TID di 60V 600kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10613JANSG2N7394Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 60V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10614JANSG2N7431la singola N-Scanalatura TID di 60V 600kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10615JANSG2N7431Ula singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10616JANSG2N7432la singola N-Scanalatura TID di 100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10617JANSG2N7432Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10618JANSG2N7433singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10619JANSG2N7433Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 600kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10620JANSG2N7480U3LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-0.5)International Rectifier
10621JANSG2N7481U3singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5International Rectifier
10622JANSG2N7484T3100V 100kRad JANS ha certificato hi-Rel-Rel il singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura in un pacchetto di To-257aa. Inoltre disponibile nella radiazione livella fino a 1000KRad.International Rectifier
10623JANSG2N7493T2singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10624JANSH2N7261singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10625JANSH2N7261Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto del 18-perno LCCInternational Rectifier
10626JANSH2N7262singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10627JANSH2N7262Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto del 18-perno LCCInternational Rectifier
10628JANSH2N7268la singola N-Scanalatura TID di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10629JANSH2N7268Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10630JANSH2N7269la singola N-Scanalatura TID di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10631JANSH2N7269Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10632JANSH2N7270la singola N-Scanalatura TID di 500V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10633JANSH2N7270Ula singola N-Scanalatura TID di 500V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10634JANSH2N7380la singola N-Scanalatura TID di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-257aaInternational Rectifier
10635JANSH2N7381singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aaInternational Rectifier
10636JANSH2N7394la singola N-Scanalatura TID di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10637JANSH2N7394Ula singola N-Scanalatura TID di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10638JANSH2N7431la singola N-Scanalatura TID di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10639JANSH2N7431Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10640JANSH2N7432la singola N-Scanalatura TID di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10641JANSH2N7432Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10642JANSH2N7433la singola N-Scanalatura TID di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10643JANSH2N7433Ula singola N-Scanalatura TID di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10644JANSH2N7480U3LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-0.5)International Rectifier
10645JANSH2N7481U3singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5International Rectifier
10646JANSH2N7484T3la singola N-Scanalatura TID di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-257aaInternational Rectifier
10647JANSH2N7493T2singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10648JANSR2N7261singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10649JANSR2N7261Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto del 18-perno LCCInternational Rectifier
10650JANSR2N7262la singola N-Scanalatura TID di 200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10651JANSR2N7262Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto del 18-perno LCCInternational Rectifier
10652JANSR2N7268la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10653JANSR2N7268Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10654JANSR2N7269la singola N-Scanalatura TID di 200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10655JANSR2N7269Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10656JANSR2N7270la singola N-Scanalatura TID di 500V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10657JANSR2N7270Ula singola N-Scanalatura TID di 500V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10658JANSR2N7380singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aaInternational Rectifier
10659JANSR2N7381la singola N-Scanalatura TID di 200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-257aaInternational Rectifier
10660JANSR2N7382la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-257aaInternational Rectifier
10661JANSR2N7383singolo MOSFET indurito TID della P-Scanalatura di -200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aaInternational Rectifier



10662JANSR2N7389la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10663JANSR2N7389Usingolo MOSFET indurito TID della P-Scanalatura di -100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto del 18-perno LCCInternational Rectifier
10664JANSR2N7390la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10665JANSR2N7390Usingolo MOSFET indurito TID della P-Scanalatura di -200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto del 18-perno LCCInternational Rectifier
10666JANSR2N7391singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 400V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10667JANSR2N7392la singola N-Scanalatura TID di 500V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10668JANSR2N7394la singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10669JANSR2N7394Ula singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10670JANSR2N7422la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10671JANSR2N7422Ula singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10672JANSR2N7423la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10673JANSR2N7423Ula singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1International Rectifier
10674JANSR2N7424la singola P-Scanalatura TID di -60V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10675JANSR2N7424Ula singola P-Scanalatura TID di -60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10676JANSR2N7425la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10677JANSR2N7425Ula singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10678JANSR2N7426la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10679JANSR2N7426Ula singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10680JANSR2N7431la singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10681JANSR2N7431Ula singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10682JANSR2N7432la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10683JANSR2N7432Usingolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10684JANSR2N7433la singola N-Scanalatura TID di 200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10685JANSR2N7433Ula singola N-Scanalatura TID di 200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2International Rectifier
10686JANSR2N7434singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 250V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-25âaInternational Rectifier
10687JANSR2N7465U3la singola N-Scanalatura U3 di 400V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-0.5International Rectifier
10688JANSR2N7466U3la singola N-Scanalatura U3 di 500V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-0.5International Rectifier
10689JANSR2N7480U3LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-0.5)International Rectifier
10690JANSR2N7481U3singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5International Rectifier
10691JANSR2N7484T3100V 100kRad JANS ha certificato hi-Rel-Rel il singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura in un pacchetto di To-257aa. Inoltre disponibile nella radiazione livella fino a 1000KRad.International Rectifier
10692JANSR2N7493T2singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
10693JANSR2N7498T2MOSFET THRU-HOLE (TO-39) DI ALIMENTAZIONE INDURITO RADIAZIONEInternational Rectifier
10694JANTX1N6844U3SERIE DI ALTA EFFICIENZA DEL RADDRIZZATORE DELLO SCHOTTKYInternational Rectifier
10695JANTX2N6756100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âaInternational Rectifier
10696JANTX2N6758200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âaInternational Rectifier
10697JANTX2N6760400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âaInternational Rectifier
10698JANTX2N6762500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âaInternational Rectifier
10699JANTX2N6764100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âeInternational Rectifier
10700JANTX2N6766200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âeInternational Rectifier

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