| Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 8001 | IRHMS593064 | la singola P-Scanalatura TID di -60V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âa | International Rectifier |
| 8002 | IRHMS593160 | la singola P-Scanalatura TID di -100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 8003 | IRHMS593260 | la singola P-Scanalatura TID di -200V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 8004 | IRHMS597064 | singolo MOSFET indurito TID della P-Scanalatura di -60V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âa | International Rectifier |
| 8005 | IRHMS597160 | la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 8006 | IRHMS597260 | la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto di To-25âa | International Rectifier |
| 8007 | IRHMS63160 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto ohmico basso di To-25âa. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8008 | IRHMS63260 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âa | International Rectifier |
| 8009 | IRHMS64160 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto ohmico basso di To-25âa. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8010 | IRHMS64260 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âa | International Rectifier |
| 8011 | IRHMS67160 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto ohmico basso di To-25âa. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8012 | IRHMS67260 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âa | International Rectifier |
| 8013 | IRHMS68160 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto ohmico basso di To-25âa. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8014 | IRHMS68260 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Basso-Ohmico di To-25âa | International Rectifier |
| 8015 | IRHN2C50SE | la singola N-Scanalatura di 600V 50kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8016 | IRHN3150 | LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-1) | International Rectifier |
| 8017 | IRHN4150 | LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-1) | International Rectifier |
| 8018 | IRHN57250SE | la singola N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8019 | IRHN7054 | la singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8020 | IRHN7130 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8021 | IRHN7150 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8022 | IRHN7230 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8023 | IRHN7250 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8024 | IRHN7250SE | la singola N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8025 | IRHN7450 | la singola N-Scanalatura TID di 500V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8026 | IRHN7450SE | la singola N-Scanalatura di 500V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8027 | IRHN7C50SE | la singola N-Scanalatura di 600V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8028 | IRHN8054 | la singola N-Scanalatura TID di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8029 | IRHN8130 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8030 | IRHN8150 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8031 | IRHN8230 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8032 | IRHN8250 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8033 | IRHN8450 | la singola N-Scanalatura TID di 500V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8034 | IRHN9130 | la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8035 | IRHN9150 | la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8036 | IRHN9230 | la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8037 | IRHN9250 | la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8038 | IRHN93130 | la singola P-Scanalatura TID di -100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8039 | IRHN93150 | la singola P-Scanalatura TID di -100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8040 | IRHN93230 | la singola P-Scanalatura TID di -200V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8041 | IRHN93250 | la singola P-Scanalatura TID di -200V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 8042 | IRHNA53064 | LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-2) | International Rectifier |
| 8043 | IRHNA53160 | LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-2) | International Rectifier |
| 8044 | IRHNA53260 | 200V, N-CHANNEL | International Rectifier |
| 8045 | IRHNA54064 | LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-2) | International Rectifier |
| 8046 | IRHNA54160 | LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-2) | International Rectifier |
| 8047 | IRHNA54260 | 200V, N-CHANNEL | International Rectifier |
| 8048 | IRHNA57060 | 200V, N-CHANNEL | International Rectifier |
| 8049 | IRHNA57064 | la singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8050 | IRHNA57160 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8051 | IRHNA57163SE | la singola N-Scanalatura di 130V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8052 | IRHNA57260 | la singola N-Scanalatura TID di 200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8053 | IRHNA57260SE | la singola N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8054 | IRHNA57264SE | la singola N-Scanalatura di 250V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8055 | IRHNA57Z60 | la singola N-Scanalatura TID di 30V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8056 | IRHNA58064 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8057 | IRHNA58160 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8058 | IRHNA58260 | la singola N-Scanalatura TID di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8059 | IRHNA58Z60 | la singola N-Scanalatura TID di 30V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8060 | IRHNA593064 | la singola P-Scanalatura TID di -60V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8061 | IRHNA593160 | la singola P-Scanalatura TID di -100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8062 | IRHNA593260 | la singola P-Scanalatura TID di -200V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8063 | IRHNA597064 | la singola P-Scanalatura TID di -60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8064 | IRHNA597160 | la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8065 | IRHNA597260 | la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8066 | IRHNA63160 | la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8067 | IRHNA63260 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8068 | IRHNA64160 | la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8069 | IRHNA64260 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8070 | IRHNA67160 | la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8071 | IRHNA67260 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8072 | IRHNA68160 | la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8073 | IRHNA68260 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 200V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2. Inoltre disponibile in 300, in 600 ed in 1000kRad. | International Rectifier |
| 8074 | IRHNA7064 | la singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8075 | IRHNA7160 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 100kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8076 | IRHNA7260 | la singola N-Scanalatura TID di 200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8077 | IRHNA7264SE | la singola N-Scanalatura di 250V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8078 | IRHNA7360SE | la singola N-Scanalatura di 400V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8079 | IRHNA7460SE | la singola N-Scanalatura di 500V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8080 | IRHNA7Z60 | la singola N-Scanalatura TID di 30V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8081 | IRHNA8064 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8082 | IRHNA8160 | singolo MOSFET indurito TID della N-Scanalatura di 100V 1000kRad hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8083 | IRHNA8260 | la singola N-Scanalatura TID di 200V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8084 | IRHNA8Z60 | la singola N-Scanalatura TID di 30V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8085 | IRHNA9064 | la singola P-Scanalatura TID di -60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8086 | IRHNA9160 | la singola P-Scanalatura TID di -100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8087 | IRHNA9260 | la singola P-Scanalatura TID di -200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8088 | IRHNA93064 | la singola P-Scanalatura TID di -60V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8089 | IRHNA93160 | la singola P-Scanalatura TID di -100V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8090 | IRHNA93260 | la singola P-Scanalatura TID di -200V 300kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 8091 | IRHNB3160 | LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-3) | International Rectifier |
| 8092 | IRHNB4160 | LA RADIAZIONE HA INDURITO IL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DEL MOSFET DI ALIMENTAZIONE (SMD-3) | International Rectifier |
| 8093 | IRHNB7064 | la singola N-Scanalatura TID di 60V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3 | International Rectifier |
| 8094 | IRHNB7160 | la singola N-Scanalatura TID di 100V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3 | International Rectifier |
| 8095 | IRHNB7260 | la singola N-Scanalatura TID di 200V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3 | International Rectifier |
| 8096 | IRHNB7264SE | la singola N-Scanalatura di 250V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-3 | International Rectifier |
| 8097 | IRHNB7360SE | la singola N-Scanalatura di 400V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-3 | International Rectifier |
| 8098 | IRHNB7460SE | la singola N-Scanalatura di 500V 100kRad hi-Rel-Rel VEDE IL MOSFET indurito in un pacchetto Smd-3 | International Rectifier |
| 8099 | IRHNB7Z60 | la singola N-Scanalatura TID di 30V 100kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3 | International Rectifier |
| 8100 | IRHNB8064 | la singola N-Scanalatura TID di 60V 1000kRad hi-Rel-Rel ha indurito il MOSFET in un pacchetto Smd-3 | International Rectifier |
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