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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM con PLL & il registro basati su 128Mx4 impilato, 4Banks 8K rif., 3.3V SDRAMs con presenza di serie Detec di SPDSamsung Electronic
2128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM con PLL & il registro basati su 128Mx4 impilato, 4Banks 8K rif., 3.3V SDRAMs con il foglio di dati di SPDSamsung Electronic
3128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM con PLL & il registro basati su 128Mx4 impilato, 4Banks 8K rif., 3.3V SDRAMs con il foglio di dati di SPDSamsung Electronic
416L102DA4MODULO DI ESPOSIZIONE FLUORESCENTE DI VUOTOSamsung Electronic
516T202DA1JMODULO DI ESPOSIZIONE FLUORESCENTE DI VUOTOSamsung Electronic
620S207DA4MODULO DI ESPOSIZIONE FLUORESCENTE DI VUOTOSamsung Electronic
7256MBDDRSDRAMDDRSDRAMSpecificationVersion0.3Samsung Electronic
82N3903transistore epitassiale del silicone del npnSamsung Electronic
92N3905TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
102N4123TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
112N4124TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
122N4125TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
132N4126TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
142N5086TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
152N5089TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
162N5210TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
172N5400TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
182N5401TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
192N5550TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
202N6427TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DARLINGTON DI NPNSamsung Electronic
212N6428TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
222N6428ATRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
232N6516TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
242N6517TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
252N6518TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
262N6519TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
272N6520TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
2862256RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
29B772PNP (COMMUTAZIONE A BASSA VELOCITĄ DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DI FREQUENZA AUDIO)Samsung Electronic
30BCW30TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
31BCW32TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
32BCW33TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
33BCW60ATRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
34BCW60BTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
35BCW60CTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
36BCW60DTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
37BCW61ATRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
38BCW61BTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
39BCW61CTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
40BCW61DTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
41BCW69TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
42BCW70TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
43BCW71TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
44BCW72TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
45BCX70GTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
46BCX70HTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
47BCX70JTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
48BCX70KTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
49BCX71GTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
50BCX71HTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
51BCX71JTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
52BCX71KTRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
53BL8531H12 Bit 10MSPS ADCSamsung Electronic
54BL8531H-ADC12 Bit 10MSPS ADCSamsung Electronic
55BU406400 V, 7 A, transistor NPN silicio epitassialeSamsung Electronic
56BU406H400 V, 7 A, transistor NPN silicio epitassialeSamsung Electronic
57BU407TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
58BU407H330 V, 7 A, transistor NPN silicio epitassialeSamsung Electronic



59BU408400 V, 7 A, transistor NPN silicio epitassialeSamsung Electronic
60BU806400 V, 8 A, silicio epitassiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
61BU807400 V, 8 A, silicio epitassiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
62C9658MICROCONTROLLERSamsung Electronic
63CL10B224Condensatore Di ceramica A pił stratiSamsung Electronic
64CL21C220Condensatore Di ceramica A pił stratiSamsung Electronic
65CM-1429Schema circuitale del PWBSamsung Electronic
66CM-1829Schema circuitale del PWBSamsung Electronic
67CM14198-2 Schema circuitale del PWBSamsung Electronic
68CM14298-2 Schema circuitale del PWBSamsung Electronic
69CM18198-2 Schema circuitale del PWBSamsung Electronic
70CM18298-2 Schema circuitale del PWBSamsung Electronic
71CM1829-1429Schema circuitale del PWBSamsung Electronic
72CMOS DRAMModo di EDO, x4 e schema cronometrante del dispositivo x8Samsung Electronic
73CMOS SDRAMFunzionamenti Del Dispositivo di Cmos SDRAMSamsung Electronic
74CW5322XSDH104Samsung Electronic
75DA22497ESTREMITĄ ANTERIORE DI FMSamsung Electronic
76DA22497DESTREMITĄ ANTERIORE DI FMSamsung Electronic
77DDRSDRAMVersione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAMSamsung Electronic
78DDRSDRAM1111Versione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAMSamsung Electronic
79DIRECT RDRAMFunzionamento Diretto Del Dispositivo di RDRAM™Samsung Electronic
80DS_K1S161611Amemoria di accesso casuale del Uni-Transistore della punta 1Mx16Samsung Electronic
81DS_K1S16161CAmemoria di accesso casuale del Uni-Transistore di modo della pagina della punta 1Mx16Samsung Electronic
82DS_K4D263238Dil 1M x 32Bit x 4 serie raddoppia il DRAM sincrono di tasso di dati con lo stroboscopio di dati ed il DLL bidirezionaliSamsung Electronic
83DS_K4S161622D1M x 16 SDRAMSamsung Electronic
84DS_K4S161622E1M x 16 SDRAMSamsung Electronic
85DS_K6F1016U4CRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassaeccellente della punta di 64K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
86DS_K6F2008U2ERAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx8 e di bassa tensioneSamsung Electronic
87DS_K6F2016U4ERAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 128K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
88DS_K6F3216T6MRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta x16 di 2M e di bassa tensioneSamsung Electronic
89DS_K6F4016U6GRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
90DS_K6F8016U6BRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
91DS_K6F8016U6CRAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensioneSamsung Electronic
92DS_K6X8008C2BRAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 1Mx8 e di bassa tensioneSamsung Electronic
93DS_K6X8008TBNCMOS SRAMSamsung Electronic
94DS_K6X8016C3B64Kx36 & 64Kx32-Bit Burst Canalizzato Sincrono SRAMSamsung Electronic
95DS_K7A803600B256Kx36Samsung Electronic
96DS_K7B803625B256Kx36 & 512Kx18-Bit Burst Sincrono SRAMSamsung Electronic
97DS_K7M323625M1Mx36 & 2Mx18 Flu-Attraverso NtRAMSamsung Electronic
98DS_K7M803625B256Kx36 & 512Kx18-Bit Attraversano NtRAMSamsung Electronic
99DS_K7N163601A512Kx36 & 1Mx18 Hanno canalizzato NtRAMSamsung Electronic
100DS_K7N323601M1Mx36 & 2Mx18-Bit Hanno canalizzato NtRAMSamsung Electronic

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