Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
10201 | STD130 ASIC | Possibilitą del pacchetto | Samsung Electronic |
10202 | STD130 ASIC | Introduzione | Samsung Electronic |
10203 | STD130 ASIC | Indice Del Libro | Samsung Electronic |
10204 | STD130 ASIC | Carico standard equivalente per gli strati | Samsung Electronic |
10205 | STD130 ASIC | Descrizione del IP di I/o& I/o | Samsung Electronic |
10206 | STD131 ASIC | Cellule di I/o | Samsung Electronic |
10207 | STD131 ASIC | Memorie Ad alta densitą | Samsung Electronic |
10208 | STD131 ASIC | Miscellanee Primitive | Samsung Electronic |
10209 | STD131 ASIC | Indice Del Libro | Samsung Electronic |
10210 | STD131 ASIC | Glossario dei termini analog | Samsung Electronic |
10211 | STD131 ASIC | Opuscolo STD130 | Samsung Electronic |
10212 | STD131 ASIC | Carico standard equivalente per gli strati | Samsung Electronic |
10213 | STD131 ASIC | Descrizione del IP di I/o& I/o | Samsung Electronic |
10214 | STD131 ASIC | PLL 2073X | Samsung Electronic |
10215 | STD131 ASIC | Memorie Basse Di Alimentazione | Samsung Electronic |
10216 | STD131 ASIC | Flip/Flops Primitivo | Samsung Electronic |
10217 | STD131 ASIC | Cellule Primitive Di Logica | Samsung Electronic |
10218 | STD131 ASIC | Descrizione Primitiva | Samsung Electronic |
10219 | STD131 ASIC | Cellule del IP di I/o | Samsung Electronic |
10220 | STD131 ASIC | Caratteristiche | Samsung Electronic |
10221 | STD131 ASIC | Uscita massima | Samsung Electronic |
10222 | STD131 ASIC | Introduzione | Samsung Electronic |
10223 | STD131 ASIC | Possibilitą del pacchetto | Samsung Electronic |
10224 | STD131 ASIC | Fermi Primitivi | Samsung Electronic |
10225 | STD150 ASIC | Glossario dei termini analog | Samsung Electronic |
10226 | STD150 ASIC | Timmings | Samsung Electronic |
10227 | STD150 ASIC | PLL2108X (17 gennaio 2002) | Samsung Electronic |
10228 | STD150 ASIC | Memorie Ad alta densitą | Samsung Electronic |
10229 | STD150 ASIC | Possibilitą Del Pacchetto | Samsung Electronic |
10230 | STD150 ASIC | Cellule del IP di I/o | Samsung Electronic |
10231 | STD150 ASIC | Cellula Dell'Ingreso/uscita | Samsung Electronic |
10232 | STD150 ASIC | Fanouts Massimo | Samsung Electronic |
10233 | STD150 ASIC | Invertitore 1,0 Dell'Opuscolo STD150 | Samsung Electronic |
10234 | STD150 ASIC | Cellule di I/o | Samsung Electronic |
10235 | STD150 ASIC | Miscellanee Primitive | Samsung Electronic |
10236 | STD150 ASIC | Fermi Primitivi | Samsung Electronic |
10237 | STD150 ASIC | Introduction(Jan. 22, 2002) | Samsung Electronic |
10238 | STD150 ASIC | Descrizione Primitiva | Samsung Electronic |
10239 | STD150 ASIC | Cellule Primitive Di Logica | Samsung Electronic |
10240 | STD150 ASIC | Flip/Flops Primitivo | Samsung Electronic |
10241 | STD150 ASIC | Characteristics(Jan. 22, 2002) | Samsung Electronic |
10242 | STD80 | Introduzione Della Biblioteca Delle Cellule Standard Dai 0,5 Micron STD80 | Samsung Electronic |
10243 | STD80 | Indice Della Biblioteca Delle Cellule Standard Dai 0,5 Micron STD80 | Samsung Electronic |
10244 | STD80 | Caratteristiche Della Biblioteca Delle Cellule Standard Dai 0,5 Micron STD80 | Samsung Electronic |
10245 | STDH150 ASIC | Cellule di I/o | Samsung Electronic |
10246 | STDH150 ASIC | Cellule del IP di I/o | Samsung Electronic |
10247 | STDH150 ASIC | Cellule Primitive Di Logica | Samsung Electronic |
10248 | STDH150 ASIC | Descrizione Primitiva | Samsung Electronic |
10249 | STDH150 ASIC | Miscellanee Primitive | Samsung Electronic |
10250 | STDH150 ASIC | Cellule Dell'Ingreso/uscita | Samsung Electronic |
10251 | STDH150 ASIC | Caratteristiche | Samsung Electronic |
10252 | STDH150 ASIC | Introduzione | Samsung Electronic |
10253 | STDH150 ASIC | Opuscolo STDH150 | Samsung Electronic |
10254 | STDH150 ASIC | Possibilitą Del Pacchetto | Samsung Electronic |
10255 | STDH150 ASIC | Estremitą del libro | Samsung Electronic |
10256 | STDH150 ASIC | Fanouts Massimo | Samsung Electronic |
10257 | STDH150 ASIC | Fermi Primitivi | Samsung Electronic |
10258 | STDH150 ASIC | Memorie Ad alta densitą | Samsung Electronic |
10259 | STDH150 ASIC | Flip/Flops Primitivo | Samsung Electronic |
10260 | STDH90 | Indice Della Biblioteca Dai 0,35 Micron STDH90 | Samsung Electronic |
10261 | STDH90 | Introduzione Della Biblioteca Dai 0,35 Micron STDH90 | Samsung Electronic |
10262 | STDL130 ASIC | Carico standard equivalente per gli strati | Samsung Electronic |
10263 | STDL130 ASIC | Possibilitą del pacchetto | Samsung Electronic |
10264 | STDL130 ASIC | Fermi Primitivi | Samsung Electronic |
10265 | STDL130 ASIC | Versione 1,0 (1'st edizione - 9 gennaio 2001) | Samsung Electronic |
10266 | STDL130 ASIC | Glossario dei termini analog | Samsung Electronic |
10267 | STDL130 ASIC | Cellule Primitive Di Logica | Samsung Electronic |
10268 | STDL130 ASIC | Miscellanee Primitive | Samsung Electronic |
10269 | STDL130 ASIC | Memorie Ad alta densitą | Samsung Electronic |
10270 | STDL130 ASIC | Caratteristiche | Samsung Electronic |
10271 | STDL130 ASIC | Uscita massima | Samsung Electronic |
10272 | STDL130 ASIC | Flip/Flops Primitivo | Samsung Electronic |
10273 | STDL130 ASIC | Introduzione | Samsung Electronic |
10274 | STDL130 ASIC | Descrizione Primitiva | Samsung Electronic |
10275 | STDL80 | Biblioteca JTAG Delle Cellule Standard Dai 0,5 Micron STDL80 | Samsung Electronic |
10276 | STDM110 ASIC | Indice Del Libro | Samsung Electronic |
10277 | STDM110 ASIC | PLL 2013X | Samsung Electronic |
10278 | STDM110 ASIC | Caratteristiche | Samsung Electronic |
10279 | STDM110 ASIC | Introduzione | Samsung Electronic |
10280 | STRS6309 | Soltanto CIRCUITO INTEGRE | Samsung Electronic |
10281 | TB8235 | UTENTI DEI MICROCONTROLLER DI CMOS 8-bit MANUALI | Samsung Electronic |
10282 | TB8238 | UTENTI DEI MICROCONTROLLER DI CMOS 8-bit MANUALI | Samsung Electronic |
10283 | TB9228 | UTENTI DEI MICROCONTROLLER DI CMOS 8-bit MANUALI | Samsung Electronic |
10284 | TIP100 | 60 V, 8 A, silicio epitassiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10285 | TIP101 | 80 V, 8 A, silicio epitassiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10286 | TIP102 | 100 V, 8 A, silicio epitassiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10287 | TIP105 | PNP (ALTO GUADAGNO CORRENTE RESOCONTO DI CC | Samsung Electronic |
10288 | TIP106 | -80 V, -8 A, epitassiale del silicone PNP transistor Darlington | Samsung Electronic |
10289 | TIP107 | -100 V, -8 A, epitassiale del silicone PNP transistor Darlington | Samsung Electronic |
10290 | TIP110 | 60 V, 2 A, silicio epitassiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10291 | TIP111 | 80 V, 2 A, silicio epitassiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10292 | TIP112 | 100 V, 2 A, silicio epitassiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10293 | TIP115 | -60 V, -2 A, epitassiale del silicone PNP transistor Darlington | Samsung Electronic |
10294 | TIP116 | -80 V, -2 A, epitassiale del silicone PNP transistor Darlington | Samsung Electronic |
10295 | TIP117 | -100 V, -2 A, epitassiale del silicone PNP transistor Darlington | Samsung Electronic |
10296 | TIP120 | NPN (APPLICAZIONI LINEARI DI COMMUTAZIONE DI ALIMENTAZIONE MEDIA) | Samsung Electronic |
10297 | TIP121 | 80 V, 5 A, silicio epitassiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10298 | TIP122 | 100 V, 5 A, silicio epitassiale transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
10299 | TIP125 | -60 V, -5 A, epitassiale del silicone PNP transistor Darlington | Samsung Electronic |
10300 | TIP126 | PNP (APPLICAZIONI LINEARI DI COMMUTAZIONE DI ALIMENTAZIONE MEDIA) | Samsung Electronic |
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