| Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 2801 | K4T51163QC-ZCD5 | 512Mb C-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2802 | K4T51163QC-ZCD6 | 512Mb C-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2803 | K4T51163QC-ZCE6 | 512Mb C-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2804 | K4T51163QC-ZCLCC | 512Mb C-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2805 | K4T51163QC-ZCLD5 | 512Mb C-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2806 | K4T51163QC-ZCLD6 | 512Mb C-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2807 | K4T51163QC-ZCLE6 | 512Mb C-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2808 | K4T56043QF | 256Mb F-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2809 | K4T56043QF-GCD5 | 256Mb F-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2810 | K4T56043QF-ZCD5 | 256Mb F-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2811 | K4T56083QF | 256Mb F-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2812 | K4T56083QF-GCD5 | 256Mb F-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2813 | K4T56083QF-GCE6 | 256Mb F-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2814 | K4T56083QF-ZCD5 | 256Mb F-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2815 | K4T56083QF-ZCE6 | 256Mb F-muoiono DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 2816 | K4X56163PE | 16M x16 DDR Mobile SDRAM | Samsung Electronic |
| 2817 | K4X56163PE-LFG | 16M x16 DDR Mobile SDRAM | Samsung Electronic |
| 2818 | K4X56163PE-LG | 16M x16 DDR Mobile SDRAM | Samsung Electronic |
| 2819 | K5A3240YBC-T755 | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2820 | K5A3240YBC-T855 | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2821 | K5A3240YT | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2822 | K5A3240YTC-T755 | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2823 | K5A3240YTC-T855 | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2824 | K5A3280YBC-T755 | MEMORIA DI MCP | Samsung Electronic |
| 2825 | K5A3280YBC-T855 | MEMORIA DI MCP | Samsung Electronic |
| 2826 | K5A3280YTC-T755 | MEMORIA DI MCP | Samsung Electronic |
| 2827 | K5A3280YTC-T855 | MEMORIA DI MCP | Samsung Electronic |
| 2828 | K5A3340YBC-T755 | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2829 | K5A3340YBC-T855 | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2830 | K5A3340YT | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2831 | K5A3340YTA, K5A3340YBA | La Banca Doppia Del Bit Di 32M (4Mx8/2Mx16) NÉ Foglio Di Memoria/Dati Dell'Istantaneo | Samsung Electronic |
| 2832 | K5A3340YTC-T755 | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2833 | K5A3340YTC-T855 | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2834 | K5A3380YBC-T755 | MEMORIA DI MCP | Samsung Electronic |
| 2835 | K5A3380YBC-T855 | MEMORIA DI MCP | Samsung Electronic |
| 2836 | K5A3380YTA, K5A3380YBA | La Banca Doppia Del Bit Di 32M (4Mx8/2Mx16) NÉ Foglio Di Memoria/Dati Dell'Istantaneo | Samsung Electronic |
| 2837 | K5A3380YTC-T755 | MEMORIA DI MCP | Samsung Electronic |
| 2838 | K5A3380YTC-T855 | MEMORIA DI MCP | Samsung Electronic |
| 2839 | K5A3B41YTA, K5A3B41YBA | La Banca Doppia Del Bit Di 32M (2Mx16) NÉ Foglio Di Memoria/Dati Dell'Istantaneo | Samsung Electronic |
| 2840 | K5A3X40YTC | Memoria Doppia Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit di MEMORIA 32M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato (4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Cmos Completo SRAM | Samsung Electronic |
| 2841 | K5A3X80YTC | MEMORIA DI MCP | Samsung Electronic |
| 2842 | K5C6417YTM/K5C6417YBM | Bit Di 64M (4Mx16) Quattro La Banca NÉ Foglio Di Dati Di Memoria Dell'Istantaneo | Samsung Electronic |
| 2843 | K5C6481NT(B)M | Foglio Di Dati di MEMORIA Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato | Samsung Electronic |
| 2844 | K5D5657ACM | 256Mb NAND e 256Mb SDRAM mobile | Samsung Electronic |
| 2845 | K5D5657ACM-F015 | 256Mb NAND e 256Mb SDRAM mobile | Samsung Electronic |
| 2846 | K5P2880YCM | Bit Istantaneo 1Mx8/512Kx16 Cmos Completo SRAM Di Memoria/8M Del Bit 16Mx8 NAND di MEMORIA 128M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato | Samsung Electronic |
| 2847 | K5P2880YCM - T085 | Foglio Istantaneo Di Memoria/Dati Del Bit Di 128M (16Mx8) NAND | Samsung Electronic |
| 2848 | K5P2880YCM-T085 | (16Mx8) memoria flash NAND 128M bit / 8M bit (1Mx8 / 512Kx16) CMOS pieno SRAM | Samsung Electronic |
| 2849 | K5P6480YCM - T085 | Foglio Istantaneo Di Memoria/Dati Del Bit Di 64M (8Mx8) NAND | Samsung Electronic |
| 2850 | K5Q6432YCM - T010 | Foglio Di Dati Statico Pieno della RAM di Cmos Di Tensione Del Bit Di 64M | Samsung Electronic |
| 2851 | K5T6432YBM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours banche NOR Flash Memory / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
| 2852 | K5T6432YT | Bit 2Mx16 UtRAM Di Memoria/32M Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit 4Mx16 Quattro di MEMORIA 64M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato | Samsung Electronic |
| 2853 | K5T6432YTM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours banche NOR Flash Memory / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
| 2854 | K64004C1D | Elettricità statica Ad alta velocità RAM(5.0v Della Punta 1Mx4 Che Funziona). Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
| 2855 | K6E0808C1C | RAM Ad alta velocità Di Elettricità statica di Cmos Della Punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
| 2856 | K6E0808C1C-12 | RAM Ad alta velocità Di Elettricità statica di Cmos Della Punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
| 2857 | K6E0808C1C-15 | RAM Ad alta velocità Di Elettricità statica di Cmos Della Punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
| 2858 | K6E0808C1C-20 | RAM Ad alta velocità Di Elettricità statica di Cmos Della Punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
| 2859 | K6E0808C1C-C | RAM Ad alta velocità Di Elettricità statica di Cmos Della Punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
| 2860 | K6E0808C1E | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2861 | K6E0808C1E-C | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2862 | K6E0808C1E-C10 | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2863 | K6E0808C1E-C12 | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2864 | K6E0808C1E-C15 | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2865 | K6E0808C1E-I | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2866 | K6E0808C1E-I10 | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2867 | K6E0808C1E-I12 | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2868 | K6E0808C1E-I15 | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2869 | K6E0808C1E-L | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2870 | K6E0808C1E-P | 32K x RAM ad alta velocità di elettricità statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
| 2871 | K6F1008V2C | RAM di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 128Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2872 | K6F1008V2C-F | RAM di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 128Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2873 | K6F1008V2C-YF55 | RAM di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 128Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2874 | K6F1008V2C-YF70 | RAM di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 128Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2875 | K6F1016U4C-EF55 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassaeccellente della punta di 64K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2876 | K6F1016U4C-EF70 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassaeccellente della punta di 64K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2877 | K6F1616R6M FAMILY | 1M x foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 16 bit e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2878 | K6F1616T6B | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2879 | K6F1616T6B-EF55 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2880 | K6F1616T6B-EF70 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2881 | K6F1616T6B-F | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2882 | K6F1616T6B-TF55 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2883 | K6F1616T6B-TF70 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2884 | K6F1616T6C | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2885 | K6F1616T6C-F | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2886 | K6F1616T6C-FF55 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2887 | K6F1616T6C-FF70 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2888 | K6F1616U6A FAMILY | 1M x foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 16 bit e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2889 | K6F1616U6C | un'alimentazione bassa SRAM dei 16Mb(1M x 16 bit) | Samsung Electronic |
| 2890 | K6F1616U6M | 1M x RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 16 bit e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2891 | K6F1616U6M FAMILY | 1M x foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 16 bit e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2892 | K6F1616U6M-F | 1M x RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 16 bit e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2893 | K6F2008S2E | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2894 | K6F2008S2E FAMILY | foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2895 | K6F2008S2E-F | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2896 | K6F2008U2E FAMILY | foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2897 | K6F2008U2E-EF55 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2898 | K6F2008U2E-EF70 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2899 | K6F2008U2E-YF55 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 2900 | K6F2008U2E-YF70 | RAM piena di elettricità statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| | | |
