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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
6201KM41C4000DLJ-54M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 128ms di aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
6202KM41C4000DLJ-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 128ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
6203KM41C4000DLJ-74M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 128ms di aggiornamento, 70nsSamsung Electronic
6204KM41C4000DLT-54M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 128ms di aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
6205KM41C4000DLT-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 128ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
6206KM41C4000DLT-74M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 128ms di aggiornamento, 70nsSamsung Electronic
6207KM41C4000DT-54M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 16 ms di aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
6208KM41C4000DT-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 16 ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
6209KM41C4000DT-74M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 16 ms di aggiornamento, 70nsSamsung Electronic
6210KM41V4000DRAM dinamica di CMOS del 1Bit di 4M x con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6211KM41V4000DJ-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 16 ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
6212KM41V4000DJ-74M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 16 ms di aggiornamento, 70nsSamsung Electronic
6213KM41V4000DLJ-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 128ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
6214KM41V4000DLJ-74M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 128ms di aggiornamento, 70nsSamsung Electronic
6215KM41V4000DLT-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 128ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
6216KM41V4000DLT-74M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 128ms di aggiornamento, 70nsSamsung Electronic
6217KM41V4000DT-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 16 ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
6218KM41V4000DT-74M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 16 ms di aggiornamento, 70nsSamsung Electronic
6219KM4216C256256K X RAM Del VIDEO Di Cmos Dei 16 BITSamsung Electronic
6220KM4216V256256K X RAM Del VIDEO Di Cmos Dei 16 BITSamsung Electronic
6221KM424C6464K X RAM del VIDEO di Cmos Dei 4 BitSamsung Electronic
6222KM424C64-1064K X RAM del VIDEO di Cmos Dei 4 BitSamsung Electronic
6223KM424C64-1264K X RAM del VIDEO di Cmos Dei 4 BitSamsung Electronic
6224KM424C64Z64K X RAM del VIDEO di Cmos Dei 4 BitSamsung Electronic
6225KM428C256256K x RAM del video di CMOS dei 8 bitSamsung Electronic
6226KM432S2030C2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
6227KM432S2030CT-F102M x 32 SDRAM 512K x 32bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
6228KM432S2030CT-F62M x 32 SDRAM 512K x 32bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
6229KM432S2030CT-F72M x 32 SDRAM 512K x 32bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
6230KM432S2030CT-F82M x 32 SDRAM 512K x 32bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
6231KM432S2030CT-G102M x 32 SDRAM 512K x 32bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
6232KM432S2030CT-G62M x 32 SDRAM 512K x 32bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
6233KM432S2030CT-G72M x 32 SDRAM 512K x 32bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
6234KM432S2030CT-G82M x 32 SDRAM 512K x 32bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serieSamsung Electronic
6235KM44C1000DRAM dinamica del 1M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6236KM44C1000DJ-51M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6237KM44C1000DJ-61M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6238KM44C1000DJ-71M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 70nsSamsung Electronic
6239KM44C1000DJL-51M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6240KM44C1000DJL-61M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6241KM44C1000DJL-71M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 70nsSamsung Electronic
6242KM44C1000DT-51M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6243KM44C1000DT-61M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6244KM44C1000DT-71M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 70nsSamsung Electronic
6245KM44C1000DTL-51M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6246KM44C1000DTL-61M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6247KM44C1000DTL-71M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 70nsSamsung Electronic
6248KM44C256B-10100ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6249KM44C256B-770ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6250KM44C256B-880ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6251KM44C256C-660ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6252KM44C256C-770ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6253KM44C256C-880ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6254KM44C256CL-660ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6255KM44C256CL-770ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6256KM44C256CL-880ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6257KM44C256CSL-660ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic



6258KM44C256CSL-770ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6259KM44C256CSL-880ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6260KM44C256D-660ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6261KM44C256D-760ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 358mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6262KM44C256D-860ns; V (cc / in / out): -1,0 a 7,0 V; 330mW; 50mA; 256K x 4 bit RAM CMOS dinamica con Fast moda PaginaSamsung Electronic
6263KM44C4000CRAM dinamica di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6264KM44C4000CK-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6265KM44C4000CK-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6266KM44C4000CKL-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6267KM44C4000CKL-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6268KM44C4000CS-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6269KM44C4000CS-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6270KM44C4000CSL-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6271KM44C4000CSL-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6272KM44C4003CDRAM di CAS del quad di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6273KM44C4003CK-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6274KM44C4003CK-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6275KM44C4003CKL-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6276KM44C4003CKL-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6277KM44C4003CS-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6278KM44C4003CS-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6279KM44C4003CSL-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6280KM44C4003CSL-64M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6281KM44C4005CDRAM di CAS del quad di 4M x 4Bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
6282KM44C4005CK-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6283KM44C4005CK-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6284KM44C4005CKL-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6285KM44C4005CKL-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6286KM44C4005CS-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6287KM44C4005CS-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6288KM44C4005CSL-54M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6289KM44C4005CSL-64M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6290KM44C4100CRAM dinamica di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6291KM44C4100CK-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6292KM44C4100CK-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6293KM44C4100CKL-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6294KM44C4100CKL-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6295KM44C4100CS-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6296KM44C4100CS-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6297KM44C4100CSL-54M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
6298KM44C4100CSL-64M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
6299KM44C4103CDRAM di CAS del quad di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6300KM44C4103CK-54M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic

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