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Datasheets ha trovato :: 10329

Nr.	Nome della parte	Descrizione	Fabbricatore
6301	KM44C4103CK-6	4M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 60ns	Samsung Electronic
6302	KM44C4103CKL-5	4M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 50ns	Samsung Electronic
6303	KM44C4103CKL-6	4M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 60ns	Samsung Electronic
6304	KM44C4103CS-5	4M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 50ns	Samsung Electronic
6305	KM44C4103CS-6	4M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 60ns	Samsung Electronic
6306	KM44C4103CSL-5	4M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 50ns	Samsung Electronic
6307	KM44C4103CSL-6	4M x 4bit CMOS quad CAS DRAM con la modalità pagina veloce, 5V, 60ns	Samsung Electronic
6308	KM44C4104A-5	50ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6309	KM44C4104A-6	60ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6310	KM44C4104A-7	70ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6311	KM44C4104A-8	80ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6312	KM44C4104AL-5	50ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6313	KM44C4104AL-6	60ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6314	KM44C4104AL-7	70ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6315	KM44C4104AL-8	80ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6316	KM44C4104ALL-5	50ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6317	KM44C4104ALL-6	60ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6318	KM44C4104ALL-7	70ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6319	KM44C4104ALL-8	80ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6320	KM44C4104ASL-5	50ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6321	KM44C4104ASL-6	60ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6322	KM44C4104ASL-7	70ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6323	KM44C4104ASL-8	80ns; V (cc / in / out): da -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6324	KM44C4105C	DRAM di CAS del quad di 4M x 4Bit CMOS con i dati estesi fuori	Samsung Electronic
6325	KM44C4105CK-5	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50ns	Samsung Electronic
6326	KM44C4105CK-6	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60ns	Samsung Electronic
6327	KM44C4105CKL-5	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50ns	Samsung Electronic
6328	KM44C4105CKL-6	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60ns	Samsung Electronic
6329	KM44C4105CS-5	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50ns	Samsung Electronic
6330	KM44C4105CS-6	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60ns	Samsung Electronic
6331	KM44C4105CSL-5	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 50ns	Samsung Electronic
6332	KM44C4105CSL-6	4M CMOS x 4bit quad CAS DRAM con i dati estesi fuori, 60ns	Samsung Electronic
6333	KM44L32031BT	128CMb DDR SDRAM	Samsung Electronic
6334	KM44L32031BT-F0	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 100 MHz, velocità di 10 ns.	Samsung Electronic
6335	KM44L32031BT-FY	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, velocità di 7,5 ns.	Samsung Electronic
6336	KM44L32031BT-FZ	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, velocità di 7,5 ns.	Samsung Electronic
6337	KM44L32031BT-G(F)0	Versione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
6338	KM44L32031BT-G(F)Y	Versione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
6339	KM44L32031BT-G(F)Z	Versione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
6340	KM44L32031BT-G(L)0	Versione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
6341	KM44L32031BT-G(L)Y	Versione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
6342	KM44L32031BT-G(L)Z	Versione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAM	Samsung Electronic
6343	KM44L32031BT-G0	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 100 MHz, velocità di 10 ns.	Samsung Electronic
6344	KM44L32031BT-GY	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, velocità di 7,5 ns.	Samsung Electronic
6345	KM44L32031BT-GZ	128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, velocità di 7,5 ns.	Samsung Electronic
6346	KM44S16030BT-G_F10	100MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6347	KM44S16030BT-G_F8	125MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6348	KM44S16030BT-G_FH	100MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6349	KM44S16030BT-G_FL	100MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6350	KM44S16030CT-G_F10	100MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6351	KM44S16030CT-G_F7	143MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6352	KM44S16030CT-G_F8	125MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6353	KM44S16030CT-G_FH	100MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6354	KM44S16030CT-G_FL	100MHz; -1,0 A 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit x 4 Banche sincrono CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6355	KM44S32030	8M x 4Bit x un DRAM sincrono delle 4 serie	Samsung Electronic
6356	KM44S32030B	8M x 4Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 serie	Samsung Electronic
6357	KM44S32030BT-G/F10	128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 Banche	Samsung Electronic

6358	KM44S32030BT-G/F8	128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 Banche	Samsung Electronic
6359	KM44S32030BT-G/FA	128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 Banche	Samsung Electronic
6360	KM44S32030BT-G/FH	128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 Banche	Samsung Electronic
6361	KM44S32030BT-G/FL	128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x un DRAM sincrono LVTTL delle 4 Banche	Samsung Electronic
6362	KM44S32030T-G/F10	8M x 4Bit x un DRAM sincrono delle 4 serie	Samsung Electronic
6363	KM44S32030T-G/F8	8M x 4Bit x un DRAM sincrono delle 4 serie	Samsung Electronic
6364	KM44S32030T-G/FH	8M x 4Bit x un DRAM sincrono delle 4 serie	Samsung Electronic
6365	KM44S32030T-G/FL	8M x 4Bit x un DRAM sincrono delle 4 serie	Samsung Electronic
6366	KM44S3203BT-G_F10	8M x 4bit x 4 Banche sincrono DRAMA LVTTL. Freq max. 66 MHz (CL = 2 e 3).	Samsung Electronic
6367	KM44S3203BT-G_F8	8M x 4bit x 4 Banche sincrono DRAMA LVTTL. Freq max. 125 MHz (CL = 3).	Samsung Electronic
6368	KM44S3203BT-G_FA	8M x 4bit x 4 Banche sincrono DRAMA LVTTL. Freq max. 133 MHz (CL = 3).	Samsung Electronic
6369	KM44S3203BT-G_FH	8M x 4bit x 4 Banche sincrono DRAMA LVTTL. Freq max. 100 MHz (CL = 2).	Samsung Electronic
6370	KM44S3203BT-G_FL	8M x 4bit x 4 Banche sincrono DRAMA LVTTL. Freq max. 100 MHz (CL = 3).	Samsung Electronic
6371	KM44V1000D	RAM dinamica del 1M x 4Bit CMOS con il modo veloce della pagina	Samsung Electronic
6372	KM44V1000DJ-6	1M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6373	KM44V1000DJ-7	1M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 70ns	Samsung Electronic
6374	KM44V1000DJL-6	1M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6375	KM44V1000DJL-7	1M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 70ns	Samsung Electronic
6376	KM44V1000DT-6	1M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6377	KM44V1000DT-7	1M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 70ns	Samsung Electronic
6378	KM44V1000DTL-6	1M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6379	KM44V1000DTL-7	1M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 70ns	Samsung Electronic
6380	KM44V4000C	RAM dinamica di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della pagina	Samsung Electronic
6381	KM44V4000CK-5	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6382	KM44V4000CK-6	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6383	KM44V4000CKL-5	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6384	KM44V4000CKL-6	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6385	KM44V4000CS-5	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6386	KM44V4000CS-6	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6387	KM44V4000CSL-5	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6388	KM44V4000CSL-6	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6389	KM44V4100C	RAM dinamica di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della pagina	Samsung Electronic
6390	KM44V4100CK-5	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6391	KM44V4100CK-6	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6392	KM44V4100CKL-5	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6393	KM44V4100CKL-6	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6394	KM44V4100CS-5	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6395	KM44V4100CS-6	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6396	KM44V4100CSL-5	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6397	KM44V4100CSL-6	4M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6398	KM44V4104BK	V (cc): -0.5 a + 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi su	Samsung Electronic
6399	KM48C2000B	RAM dinamica di 2M x 8Bit CMOS con il modo veloce della pagina	Samsung Electronic
6400	KM48C2000BK-5	2M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalità pagina veloce, 5V, 50ns	Samsung Electronic

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