|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 10329 English Version for this page Version franēaise pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta pįgina Versćo portuguese para esta pįgina Russian Version Romanian Version
Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
6801KM681002CLT-10128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 10ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6802KM681002CLT-12128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 12ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6803KM681002CLT-15128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 15ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6804KM681002CLT-20128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 20ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6805KM681002CLTI-10128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 10ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6806KM681002CLTI-12128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 12ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6807KM681002CLTI-15128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 15ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6808KM681002CLTI-20128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 20ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6809KM681002CT-10128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 10nsSamsung Electronic
6810KM681002CT-12128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 12nsSamsung Electronic
6811KM681002CT-15128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 15nsSamsung Electronic
6812KM681002CT-20128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 20nsSamsung Electronic
6813KM681002CTI-10128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 10nsSamsung Electronic
6814KM681002CTI-12128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 12nsSamsung Electronic
6815KM681002CTI-15128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 15nsSamsung Electronic
6816KM681002CTI-20128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 20nsSamsung Electronic
6817KM68257Celettricitą statica ad alta velocitą RAM(5V Operating(, perno evolutivo della punta 32Kx8 fuori. Funzionato alla gamma di temperature commerciale.Samsung Electronic
6818KM68257CJ-12RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 12nsSamsung Electronic
6819KM68257CJ-15RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 15nsSamsung Electronic
6820KM68257CJ-20RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 20nsSamsung Electronic
6821KM68257CLJ-12RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 12nsSamsung Electronic
6822KM68257CLJ-15RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 15nsSamsung Electronic
6823KM68257CLJ-20RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 20nsSamsung Electronic
6824KM68257CLP-12RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 12nsSamsung Electronic
6825KM68257CLP-15RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 15nsSamsung Electronic
6826KM68257CLP-20RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 20nsSamsung Electronic
6827KM68257CLTG-12RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 12nsSamsung Electronic
6828KM68257CLTG-15RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 15nsSamsung Electronic
6829KM68257CLTG-20RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 20nsSamsung Electronic
6830KM68257CP-12RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 12nsSamsung Electronic
6831KM68257CP-15RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 15nsSamsung Electronic
6832KM68257CP-20RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 20nsSamsung Electronic
6833KM68257CTG-12RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 12nsSamsung Electronic
6834KM68257CTG-15RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 15nsSamsung Electronic
6835KM68257CTG-20RAM 32Kx8 bit ad alta velocitą statica (5V operativo), 20nsSamsung Electronic
6836KM68257Efunzionamento statico ad alta velocitą di CMOS RAM(5V della punta 32Kx8) funzionato alle gamme di temperature commerciali edindustriali.Samsung Electronic
6837KM68257E-10funzionamento statico ad alta velocitą di CMOS RAM(5V della punta 32Kx8) funzionato alle gamme di temperature commerciali edindustriali.Samsung Electronic
6838KM68257E-12funzionamento statico ad alta velocitą di CMOS RAM(5V della punta 32Kx8) funzionato alle gamme di temperature commerciali edindustriali.Samsung Electronic
6839KM68257E-15funzionamento statico ad alta velocitą di CMOS RAM(5V della punta 32Kx8) funzionato alle gamme di temperature commerciali edindustriali.Samsung Electronic
6840KM68257EI-1032Kx8 Bit ad alta velocitą di CMOS RAM statica (5V di funzionamento) Gestita in range di temperature commerciali e industriali.Samsung Electronic
6841KM68257EI-12funzionamento statico ad alta velocitą di CMOS RAM(5V della punta 32Kx8) funzionato alle gamme di temperature commerciali edindustriali.Samsung Electronic
6842KM68257EI-15funzionamento statico ad alta velocitą di CMOS RAM(5V della punta 32Kx8) funzionato alle gamme di temperature commerciali edindustriali.Samsung Electronic
6843KM68257EJ-10RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 10nsSamsung Electronic
6844KM68257EJ-12RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 12nsSamsung Electronic
6845KM68257EJ-15RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 15nsSamsung Electronic
6846KM68257EJI-10RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 10nsSamsung Electronic
6847KM68257EJI-12RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 12nsSamsung Electronic
6848KM68257EJI-15RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 15nsSamsung Electronic
6849KM68257ETG-10RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 10nsSamsung Electronic
6850KM68257ETG-12RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 12nsSamsung Electronic
6851KM68257ETG-15RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 15nsSamsung Electronic
6852KM68257ETGI-10RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 10nsSamsung Electronic
6853KM68257ETGI-12RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 12nsSamsung Electronic
6854KM68257ETGI-15RAM CMOS statica 32Kx8 bit ad alta velocitą (operativo 5V), 15nsSamsung Electronic
6855KM684000524288 WORD x RAM AD ALTA VELOCITĄ di ELETTRICITĄ STATICA di CMOS dei 8 BITSamsung Electronic
6856KM684000ALG-5RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 128Kx8Samsung Electronic
6857KM684000ALG-5L55ns, 512Kx8 bit bassi CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic



6858KM684000ALG-770ns, 512Kx8 bit CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6859KM684000ALG-7L70ns, 512Kx8 bit bassi CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6860KM684000ALGI-770ns, 512Kx8 bit CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6861KM684000ALGI-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 128Kx8Samsung Electronic
6862KM684000ALP-555ns, 512Kx8 bit CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6863KM684000ALP-5L55ns, 512Kx8 bit bassi CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6864KM684000ALP-7RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 128Kx8Samsung Electronic
6865KM684000ALP-7L70ns, 512Kx8 bit bassi CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6866KM684000ALR-5L55ns, 512Kx8 bit bassi CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6867KM684000ALR-7L70ns, 512Kx8 bit bassi CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6868KM684000ALRI-7L70ns, 512Kx8 bit bassi CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6869KM684000ALT-5L55ns, 512Kx8 bit bassi CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6870KM684000ALT-7L70ns, 512Kx8 bit bassi CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6871KM684000ALTI-7L70ns, 512Kx8 bit bassi CMOS a basso consumo di RAM staticaSamsung Electronic
6872KM684000BRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6873KM684000BLRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6874KM684000BL-LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6875KM684000BLG-5RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6876KM684000BLG-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6877KM684000BLG-7RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6878KM684000BLG-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6879KM684000BLGI-5RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6880KM684000BLGI-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6881KM684000BLGI-7RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6882KM684000BLGI-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6883KM684000BLIRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6884KM684000BLI-LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6885KM684000BLP-5RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6886KM684000BLP-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6887KM684000BLP-7RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6888KM684000BLP-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6889KM684000BLR-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6890KM684000BLR-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6891KM684000BLRI-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6892KM684000BLRI-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6893KM684000BLT-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6894KM684000BLT-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6895KM684000BLTI-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6896KM684000BLTI-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6897KM684000CRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6898KM684000CLRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6899KM684000CL-LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic
6900KM684000CLG-5RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 512Kx8Samsung Electronic

Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/it/samsungelectronic/1/