|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versăo portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
601K4E171611D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori. 5V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
602K4E171612DRAM dinamica del 1M x 16Bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
603K4E171612D-J1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori. 3.3V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
604K4E171612D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori. 3.3V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
605K4E640412DRAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
606K4E640412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori. 3.3V, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
607K4E640412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori. 3.3V, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
608K4E640812BRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
609K4E640812B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
610K4E640812B-JC-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
611K4E640812B-JC-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
612K4E640812B-JCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
613K4E640812B-JCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
614K4E640812B-JCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
615K4E640812B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
616K4E640812B-TC-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
617K4E640812B-TC-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
618K4E640812B-TCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
619K4E640812B-TCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
620K4E640812B-TCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
621K4E640812CRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
622K4E640812C-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
623K4E640812C-JC-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
624K4E640812C-JC-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
625K4E640812C-JCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
626K4E640812C-JCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
627K4E640812C-JCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
628K4E640812C-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
629K4E640812C-TC-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
630K4E640812C-TC-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
631K4E640812C-TCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
632K4E640812C-TCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
633K4E640812C-TCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
634K4E640812ERAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
635K4E640812E-JC/LRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
636K4E640812E-TC/LRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
637K4E641612BRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
638K4E641612B-LRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
639K4E641612B-TCRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
640K4E641612B-TC454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
641K4E641612B-TC504M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
642K4E641612B-TC604M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
643K4E641612B-TL454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
644K4E641612B-TL504M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
645K4E641612B-TL604M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
646K4E641612CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
647K4E641612C-45RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
648K4E641612C-50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
649K4E641612C-60RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
650K4E641612C-LRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
651K4E641612C-TRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
652K4E641612C-T45RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
653K4E641612C-T50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
654K4E641612C-T60RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
655K4E641612C-TCRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
656K4E641612C-TC45RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
657K4E641612C-TC50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic



658K4E641612C-TC60RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
659K4E641612C-TL45RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
660K4E641612C-TL50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
661K4E641612C-TL60RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
662K4E641612DDRAM DI CMOSSamsung Electronic
663K4E660411D, K4E640411DRAM dinamica di 4bit x di 16MB CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
664K4E660412DRAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
665K4E660412D, K4E640412DRAM dinamica di 4bit x di 16MB CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
666K4E660412D, K4E640412DRAM dinamica di 4bit x di 16MB CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
667K4E660412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori. 3.3V, 8K del ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
668K4E660412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori. 3.3V, 8K del ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
669K4E660412E, K4E640412ERAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
670K4E660412E, K4E640412ERAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
671K4E660811D, K4E640811DRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
672K4E660812BRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
673K4E660812B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
674K4E660812B-JC-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
675K4E660812B-JC-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
676K4E660812B-JCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
677K4E660812B-JCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
678K4E660812B-JCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
679K4E660812B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
680K4E660812B-TC-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
681K4E660812B-TC-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
682K4E660812B-TCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
683K4E660812B-TCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
684K4E660812B-TCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
685K4E660812CRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
686K4E660812C-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
687K4E660812C-JC-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
688K4E660812C-JC-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
689K4E660812C-JCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
690K4E660812C-JCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
691K4E660812C-JCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
692K4E660812C-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
693K4E660812C-TC-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
694K4E660812C-TC-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
695K4E660812C-TCL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
696K4E660812C-TCL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
697K4E660812C-TCL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
698K4E660812D, K4E640812DRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
699K4E660812D, K4E640812DRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
700K4E660812ERAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic

Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/it/samsungelectronic/1/