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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
701K4E660812E, K4E640812ERAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
702K4E660812E, K4E640812ERAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
703K4E660812E-JC/LRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
704K4E660812E-TC/LRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
705K4E661611D, K4E641611DRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
706K4E661612BRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
707K4E661612B-LRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
708K4E661612B-TCRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
709K4E661612B-TC454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
710K4E661612B-TC504M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
711K4E661612B-TC604M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
712K4E661612B-TL454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
713K4E661612B-TL504M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
714K4E661612B-TL604M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
715K4E661612CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
716K4E661612C-45RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
717K4E661612C-50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
718K4E661612C-60RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
719K4E661612C-LRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
720K4E661612C-L45RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
721K4E661612C-L50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
722K4E661612C-L60RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
723K4E661612C-TRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
724K4E661612C-T45RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
725K4E661612C-T50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
726K4E661612C-T60RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
727K4E661612C-TCRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
728K4E661612C-TC45RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
729K4E661612C-TC50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
730K4E661612C-TC60RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
731K4E661612C-TL45RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
732K4E661612C-TL50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
733K4E661612C-TL60RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
734K4E661612DDRAM DI CMOSSamsung Electronic
735K4E661612D, K4E641612DRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
736K4E661612D, K4E641612DRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
737K4E661612E, K4E641612ERAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
738K4E661612E, K4E641612ERAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi verso l'esterno il foglio di datiSamsung Electronic
739K4F151611RAM dinamica del 1M x 16Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
740K4F151611DRAM dinamica del 1M x 16Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
741K4F151611D-J1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 1K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
742K4F151611D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 1K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
743K4F151612DRAM dinamica del 1M x 16Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
744K4F151612D-J1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 1K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
745K4F151612D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 1K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
746K4F16(7)0811(2)DRAM dinamica di 2M x 8Bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
747K4F160411C-B504M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
748K4F160411C-B604M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
749K4F160411C-F504M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
750K4F160411C-F604M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
751K4F160411DRAM dinamica di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
752K4F160411D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 2K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
753K4F160411D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 2K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
754K4F160412C-B504M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
755K4F160412C-B604M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
756K4F160412C-F504M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
757K4F160412C-F604M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
758K4F160412DRAM dinamica di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic



759K4F160412D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 2K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
760K4F160412D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 2K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
761K4F160811DRAM dinamica di 2M x 8Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
762K4F160811D-B2M x 8 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 2K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
763K4F160811D-F2M x 8 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 2K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
764K4F160812DRAM dinamica di 2M x 8Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
765K4F160812D-B2M x 8 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 2K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
766K4F160812D-F2M x 8 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 2K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
767K4F170411C-B504M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
768K4F170411C-B604M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
769K4F170411C-F504M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
770K4F170411C-F604M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
771K4F170411DRAM dinamica di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
772K4F170411D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
773K4F170411D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
774K4F170412C-B504M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
775K4F170412C-B604M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
776K4F170412C-F504M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
777K4F170412C-F604M x 4bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
778K4F170412DRAM dinamica di 4M x 4Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
779K4F170412D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
780K4F170412D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
781K4F170811DRAM dinamica di 2M x 8Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
782K4F170811D-B2M x 8 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
783K4F170811D-F2M x 8 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
784K4F170812DRAM dinamica di 2M x 8Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
785K4F170812D-B2M x 8 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
786K4F170812D-F2M x 8 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
787K4F171611DRAM dinamica del 1M x 16Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
788K4F171611D-J1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
789K4F171611D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 5V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
790K4F171612DRAM dinamica del 1M x 16Bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
791K4F171612D-J1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
792K4F171612D-T1m x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V Tensione di alimentazione, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
793K4F640412DRAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
794K4F640412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
795K4F640412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
796K4F640811BRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
797K4F640811B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 45nsSamsung Electronic
798K4F640811B-JC-508M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
799K4F640811B-JC-608M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
800K4F640811B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 45nsSamsung Electronic

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