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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
801K4F640811B-TC-508M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
802K4F640811B-TC-608M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
803K4F640812DRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
804K4F640812D-JC_L8M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
805K4F640812D-TC_L8M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V, 4K ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
806K4F641612BRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
807K4F641612B-LRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
808K4F641612B-TCRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
809K4F641612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
810K4F641612B-TC50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
811K4F641612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
812K4F641612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
813K4F641612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
814K4F641612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
815K4F641612CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
816K4F641612C-LRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
817K4F641612C-TCRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
818K4F641612C-TC454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
819K4F641612C-TC504M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
820K4F641612C-TC604M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
821K4F641612C-TL454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
822K4F641612C-TL50RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
823K4F641612C-TL604M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
824K4F660411D, K4F640411DRAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
825K4F660412DRAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
826K4F660412D, K4F640412DRAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
827K4F660412D, K4F640412DRAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
828K4F660412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V, 8K del ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
829K4F660412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V, 8K del ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
830K4F660412E, K4F640412ERAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
831K4F660412E, K4F640412ERAM dinamica di 16M x 4bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
832K4F660811BRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
833K4F660811B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 45nsSamsung Electronic
834K4F660811B-JC-508M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
835K4F660811B-JC-608M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
836K4F660811B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 45nsSamsung Electronic
837K4F660811B-TC-508M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 50nsSamsung Electronic
838K4F660811B-TC-608M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 60nsSamsung Electronic
839K4F660811D, K4F640811DRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
840K4F660812DRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
841K4F660812D, K4F640812DRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
842K4F660812D, K4F640812DRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
843K4F660812D-JC_L8M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V, 8K del ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
844K4F660812D-TC_L8M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce. 3.3V, 8K del ciclo di aggiornamento.Samsung Electronic
845K4F660812E, K4F640812ERAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
846K4F660812E, K4F640812ERAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
847K4F661611D, K4F641611DRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
848K4F661612BRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
849K4F661612B-LRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
850K4F661612B-TCRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
851K4F661612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
852K4F661612B-TC504M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
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854K4F661612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
855K4F661612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic



856K4F661612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
857K4F661612CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
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868K4F661612E, K4F641612ERAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
869K4F661612E, K4F641612ERAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il foglio di dati veloce di modo della paginaSamsung Electronic
870K4G323222A512K x 32Bit x un foglio di 2 delle serie dati grafico sincrono della RAMSamsung Electronic
871K4G323222A-PC/L4532Mbit SGRAMSamsung Electronic
872K4G323222A-PC/L5032Mbit SGRAMSamsung Electronic
873K4G323222A-PC/L6032Mbit SGRAMSamsung Electronic
874K4G323222A-PC/L7032Mbit SGRAMSamsung Electronic
875K4G323222A-PC/L7C32Mbit SGRAMSamsung Electronic
876K4G323222A-QC/L4532Mbit SGRAMSamsung Electronic
877K4G323222A-QC/L5032Mbit SGRAMSamsung Electronic
878K4G323222A-QC/L6032Mbit SGRAMSamsung Electronic
879K4G323222A-QC/L7032Mbit SGRAMSamsung Electronic
880K4G323222A-QC/L7C32Mbit SGRAMSamsung Electronic
881K4H1G0438A-TCA0128CMb DDR SDRAMSamsung Electronic
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900K4H1G0438D-TCA2128CMb DDR SDRAMSamsung Electronic

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